Pb(Zr,Ti)O3薄膜的PLD生长研究+文献综述.docVIP

Pb(Zr,Ti)O3薄膜的PLD生长研究+文献综述 摘要本文主要研究了以PZT（锆钛酸铅，分子式为Pb(Zr0.52Ti0.48)O3）压电陶瓷为靶材，用脉冲激光沉积（PLD）法制备PZT薄膜的过程中，衬底温度和退火温度对PZT成膜特性的影响。 首先，分别在不同衬底温度相同退火温度，和相同衬底温度不同退火温度的条件下制备PZT薄膜，然后测量所制备PZT薄膜的X射线衍射（XRD）图谱和扫描电子显微镜（SEM）微观结构图，再分析比较所得的各组实验数据，得出用脉冲激光沉积法制备PZT铁电薄膜时衬底温度和退火温度对PZT成膜特性的影响。结果表明：衬底温度过低不利于PZT薄膜结晶，当衬底温度低于450℃时，沉积制备的PZT薄膜为非晶态；退火温度影响PZT薄膜中钙钛矿相结晶的择优取向性，从低温退火的(102)取向改变为高温退火的(200)取向。4939 关键词：锆钛酸铅；压电陶瓷；脉冲激光沉积；薄膜 Title Growth of Lead Zirconete Titanate Thin Films by Pulsed-Laser Deposition Abstract In this thesis, we deposited PZT thin films with Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 ceramic target by PLD method, and studies the influences of substrate temperature and annealing temperatures on the films. PZT films were deposited at various substrate temperatures and various annealing temperatures. The structure and morphology were characterized with both X-ray diffraction (XRD) and scanning electronic microscopy (SEM). The analysis of the measurement results shows that a lower substrate temperature is not suitable for the crystallization of PZT thin film. When the substrate temperature is lower than 450℃, the film becomes amorphous. Annealing temperature affects the preferred orientation of the PZT film, and it changes from (102) after low-temperature annealing to (200) after high-temperature annealing. Keywords: PZT; Ferroelectric ceramic material; PLD; Film 毕业设计说明书（论文）外文摘要 目次 1.1铁电材料的发展历史 铁电材料是一类重要的功能材料，它具有介电性、压电性、热释电性、铁电性以及电光效应、声光效应、光折变效应和非线性光学效应等重要特性，可用于制作铁电存储器、热释电红外探测器、空间光调制器、光波导、介质移相器、压控滤波器等重要的新型元器件。这些元器件在航空航天、通信、家电、国防等领域具有广泛的应用前景， 因此铁电材料成了近年来高新技术研究的前沿和热点之一。 早在远古时期，人们就知道某些物质具有与温度有关的自发电偶极距，因为它们被加热时具有吸引其它轻小物体的能力。1824年Brewster 观察到许多矿石具有热释电性[1]。1880年约bull;居里和皮bull;居里发现当对样品施加应力时出现电极化的现象[2，3]。但是，早期发现的热释电体没有一个是铁电体。在未经处理的铁电单晶中，电畴的极化方向是杂乱的，晶体的净极化为零，热释电响应和压电响应也十分微小，这就是铁电体很晚才被发现的主要原因。直到1920年， 法国人Valasek 发现了罗息盐（酒石酸钾钠，NaKC4H4O6bull;4H2O）特异的介电性能，才掀开了铁电体的历史[4]。 在铁电发展史上的重要历史事件按年代顺序列于表1中[5，6]。由表1可以看出PZT是及其重要的一种铁电材料。 表1 铁电发展史上的重要历史事件 年份事件 1824在罗息盐中发现热释电性 1880在罗息盐、石英及其它矿石中发现压电性 1912首次提出铁电性 1921发现罗息盐具有铁电性