高性能有机薄膜晶体管(otft)制备及其导电机制 fabrication of high performance pentacene-based organic thin-film transistor and its mechanism of mobility enhancement.pdfVIP

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2017-08-31 发布于上海
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高性能有机薄膜晶体管(otft)制备及其导电机制 fabrication of high performance pentacene-based organic thin-film transistor and its mechanism of mobility enhancement.pdf

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高性能有机薄膜晶体管(otft)制备及其导电机制 fabrication of high performance pentacene-based organic thin-film transistor and its mechanism of mobility enhancement

专家论坛 Expert Forum 高性能有机薄膜晶体管（）制备及其导电机制犗犜犉犜江潮，于爱芳，祁琼　　国家纳米科学中心北京（，）１００１９０　摘要：详细介绍了在和高介质层上制备并五苯薄膜晶体管方面的研究，特别是利用ＳｉＯ犽ＨｆＯ２２（）（），原子力显微技术和静电力显微技术研究了并五苯分子初始生长模式揭示了ＡＦＭＥＦＭ衬底形貌表面化学性能包括化学清洗和聚合物层修饰对有机半导体成膜结构和薄膜场效应、（），、；晶体管性能之间的关联包括晶体管迁移率开关比和阈值电压等针对并五苯初始生长成核模式的差异分析了不同岛畴间畴边界对载流子在有机薄膜内输运的影响有助于理解有机半，（），导体薄膜导电机理。通过优化和控制介电层和有机半导体薄膜层的界面化学性质，在介质ＳｉＯ２２６层上成功制备出迁移率为／·、开关电流比达到的器件；在高介质１．０ｃｍＶｓ１０ＯＴＦＴ犽ＨｆＯ２５层上获得的器件的工作电压在以下，开关电流比达到，载流子迁移率为ＯＴＦＴ－５Ｖ１００．６２／·；器件性能指标已经达到目前国际上文献报道的最好水平。ｃｍＶｓ关键词：有机薄膜晶体管；并五苯；初始生长模式；导电机制中图分类号：；文献标识码：文章编号：（）ＴＮ３２１．５ＴＮ３０４．５Ａ１６７１－４７７６２００９０７－０３８５－０６　　犉犪犫狉犻犮犪狋犻狅狀狅