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基于分子量级的化学机械抛光界面动力学模型研究-摩擦学学报.pdf

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第卷第期摩擦学学报年月基于分子量级的化学机械抛光界面动力学模型研究王永光赵永武江南大学机械工程学院江苏无锡摘要考虑抛光液芯片的相界面氧化剂浓度和芯片氧化薄膜缺陷对材料去除机理的影响提出化学机械抛光中材料去除机理的量级估算方法应用化学动力学及传质学等理论估算氧化薄膜的扩散深度量级和生成速率采用纳米压痕仪模拟单个磨粒在芯片表面的压痕作用应用线性回归方法分析载荷下磨粒压入芯片的深度量级为结合模型估算证实了材料去除机理为单分子层去除机理结果表明减小氧化膜厚度可以提高材料去除率估算结果与他人试验结果相吻合

第 27 卷  第 3 期 摩 擦 学 学 报 Vo l 27,  No 3 2007 年 5月 TR IBOLO GY M ay, 2007 基于分子量级的化学机械抛光 界面动力学模型研究

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