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半导体常用刻蚀工艺 报告人：高大永 什么是刻蚀？ 用物理的、化学的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分 材料去除，从而得到和抗蚀剂完全一致的图形。 刻蚀种类: 干法刻蚀：利用等离子体将不要的材料去除（亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法） 湿法刻蚀：利用腐蚀性液体将不要的材料去除 干法刻蚀工艺特点： a.各向异性好 b.良好的刻蚀选择性; c.合适的刻蚀速率； d.好的片内均匀性 e.工艺稳定性好，适用于工业生产 平行电极等离子刻蚀（PE） PE 是比较早期的刻蚀方法，腐蚀气体分子在高频电场（标准工业频率13.56MHz）作用下，发生电离形成辉光放电，产生等离子体，利用离子与薄膜间的化学反应，生成挥发性物质，由真空抽走，达到刻蚀的目的。 这种刻蚀速率较快，但各相异性差。适用于微米级线宽刻蚀。 反应等离子刻蚀（RIE） RIE 是在平板式反应器(PE)的基础上使阴极与阳极的面积比为2-3：1，加工的硅片放在阳极板上，被激励的等离子体与阳极板表面形成偏压加速正离子溅射相结合进行刻蚀，反应离子刻蚀中以物理溅射为主，兼有化学腐蚀。 为了获得高度的各项异性，通常利用侧壁钝化技术，即在刻蚀露出的侧壁上形成聚合物或二氧化硅保护膜，使侧壁不受刻蚀。这种刻蚀有着比较好的各项异性，但刻蚀速率要低些。 一个RIE的工艺包括以下六个步骤: 分离：气体由等离子体分离为可化学反应的元素；扩散：这些元素扩散并吸附到硅片表面； 表面扩散：到达表面后，四处移动； 反应：与硅片表面的膜发生反应； 解吸：反应的生成物解吸，离开硅片表面； 排放：排放出反应腔。 RIE的优点： A.可以容易地开始和结束， B.对硅片上温度的微小变化不是那么敏感 C.等离子体刻蚀有很高的各向异性 不同刻蚀工艺所使用的化学药品 为什么针对不同的刻蚀工艺选择不同的化学药品？ 选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，大大提高了刻蚀的各向异性特性。 利用RIE进行硅沟槽的刻蚀 当器件尺寸缩小时，晶片表面用作隔离DRAM存储单元的存储电容和电路器件间的区域也会相对减少这些表面隔离区域可用硅晶片的深沟槽刻蚀，在填入适当的介质或导体物质来较少其所占的面积。 经过深槽刻蚀的硅片，由于其深宽比特别大，普通的清洗方法很难将表面的附着物清洗掉。可以采用化学清洗和兆声波清洗相结合的方法。清洗时，在传输介质中形成超音速的流体冲击波，以高速的流体连续冲击硅表面，使硅表面的污染物和颗粒被强制除去，并进入清洗液中。 增强反应离子刻蚀（MRIE） MRIE是改进型的RIE刻蚀，目的是增强了离子能量，它在RIE反应室周围增加了磁场成90度的磁铁，使电子在磁场的作用下成螺旋状行进，增加了与气体分子碰撞的机会，增加等离子密度，提高刻蚀速率。 离子束刻蚀（IBE） 离子束刻蚀是利用具有一定能量的离子轰击材料表面，使材料原子发生溅射，从而达到刻蚀目的. 把Ar、Kr或Xe之类惰性气体充入离子源放电室并使其电离形成 等离子体，然后由栅极将离子呈 束状引出并加速，具有一定能量 的离子束进入工作室，射向固体 表面撞击固体表面原子，使材料 原子发生溅射，达到刻蚀目的， 属纯物理过程。 IBE刻蚀特点 方向性好，各向异性，陡直度高 分辨率高，可达到0.01μm 不受刻蚀材料限制（金属or化合物，无机物or有机物，绝缘体or半导体均可） 刻蚀过程中可改变离子束入射角θ来控制图形 轮廓 加工过程中，损伤比较严重 加工精度不容易控制 离子束刻蚀速率影响因素 A.被刻蚀材料种类 B.离子能量 C .离子束流密度 D.离子束入射角度 IBE相关刻蚀数据 离子能量：350eV 由于IBE刻蚀对材料无选择性，对于那些无法或者难以通过化学研磨、电介研磨难以减薄的材料，可以的通过IBE来进行减薄。另外，由于离子束能逐层剥离原子层，所以具有的微分析样品能力，并且可以用来进行精密加工。 反应离子束刻蚀（RIBE） RIBE是改进的离子束刻蚀（IBE）.它采用加入离子源的气体代替惰性气体，通过栅电极从等离子体中萃取离子形成离子束，避免了硅片与等离子的直接接触。