超高压AIS和GIS以及HGIS的优劣分析.docxVIP

1．GIS技术的进步从上世纪60年代GIS问世以来,GIS一直处于发展之中,在保持高可靠性的同时,减少材料用量和降低成本。同时在GIS的基础上,最新演变出H-GIS(MTS)即复合式GIS。GIS的进步主要表现在:1)断路器技术的发展在增大容量的同时减少断口数是提高断路器和GIS技术经济指标的最主要措施。减少断口数能简化结构,提高靠性,同时减少SF6气体用量和排放量。目前550kV SF6断路器已由双断口发展到单断口。日本己开发出550kV63kA50KA单断口SF6断路器,我国最新也开发出550kV 4000A 50KA单断口SF6断路器。 (2)GIS在壳体结构上从分相式-三相共筒式-复合化。GIS的壳体从分相式发展到三相共筒式,使GIS进一步小型化。目前国际上已做到300kV全三相共简化,550kV母线三相共筒化。复合化是将多个元件运合在一个充气筒内,如将断路器和母线复合为一个充气筒内,又将隔离开关、接地开关、避雷器和电流互感器由原来多个气筒复合为一个气筒。这样做可使GIS小型化、轻量化。(3)元件的多功能化,如将隔离开关和接地开关复合成三工位隔离/接地开关,可省略电气操作联锁,不存在DS和ES间各种误操作,显著提高了运行可靠性。(4)铝合金铸造和加工技术的发展使外形和体积最小化。GIS壳体有钢板卷制、铝板焊接和铸铝结构,以铝合金铸造气密性最好,且能按绝缘要求优化需壳形状。(