西安电子科技大学微电子学院2016年考研专业课大纲802.docVIP

“集成电路与半导体物理半导体物理半导体物理要求学生的相关基础理论，重点的要求学生熟练掌握半导体的相关基础理论，了解半导体性质以及受外界因素的影响及其变化规律重点半导体中的电子状态和带、半导体中的杂质和缺陷能级、半导体中载流子的统计分布、半导体的导电性、半导体中的非平衡载流子等相关知识半导体物理。 （一）基本概念和 1.复习内容 数字集成电路设计中的基本概念和 2.具体要求 设计约束 时钟设计 电源网络 设计质量评定标准 集成电路成本构成 电压传输特性 噪声容限 再生性 扇入扇出 传播延迟 功耗、能耗 设计规则 标准单元 工艺偏差 工艺尺寸缩小 封装 （二） 1.复习内容 定性了解二极管、MOS晶体管，理解其工作原理，静态特性、动态特性；掌握SPICE模型和手工分析模型。 2.具体要求 二极管结构 二极管静态特性 二极管动态特性 二极管手工分析模型 二极管SPICE模型 MOS晶体管结构 MOS晶体管工作区 MOS晶体管静态特性、阈值电压、沟道长度调制、速度饱和 MOS晶体管亚阈值特性 MOS晶体管动态特性 MOS晶体管电容构成 热载流子效应 CMOS闩锁效应 （三） 1.复习内容 互连线的电路模型，SPICE模型，确定并定量化互连参数；传输线效应；互连线的信号完整性 2.具体要求 互连参数 互连线电容寄生效应 互连线电阻寄生效应 互连线电感寄生效应 趋肤效应 互连线集总模型 互连线分布模型 （四） 2.具体要求 CMOS反相器静态特性、开关阈值、噪声容限、稳定性 CMOS反相器动态特性 CMOS反相器电容计算 CMOS反相器传播延迟分析 CMOS反相器网络设计 CMOS反相器功耗、动态功耗、静态功耗 MOS反相器低功耗设计技术 能量延时积 （五） 2.具体要求 静态互补CMOS设计、静态特性、传播延时、尺寸设计与性能优化 有比逻辑概念 传输管逻辑概念、传输特性、稳定性、性能 动态逻辑基本原理、速度、功耗、信号完整性 多米诺逻辑概念、设计、优化 （六） 1.复习内容 时序逻辑基本部件——寄存器、锁存器、触发器设计实现技术；静态、动态时序逻辑比较；振荡器、施密特触发器设计实现技术；时钟策略 2.具体要求 时序电路的时间参数:：建立时间、保持时间、传播延时 双稳态原理 多路开关性锁存器 主从边沿触发寄存器 静态SR触发器 动态传输门边沿触发寄存器 C2MOS寄存器 真单相钟控寄存器 脉冲寄存器 流水线概念 流水线型逻辑 施密特触发器 单稳时序电路 不稳电路 时钟策略、时钟偏差、时钟抖动、时钟误差来源 ●“半导体物理”部分各章复习要点 （一） 1.复习内容 半导体晶体结构与化学键性质， 2.具体要求 半导体中的电子状态和能带半导体中电子的运动和有效质量本征半导体的导电机构空穴的概念回旋共振及其实验结果Si、Ge和化合物半导体的能带结构 （二） 1.复习内容 元素半导体中的杂质能级，化合物半导体中的杂质能级、位错和缺陷能级。 Si和Ge晶体中的杂质能级杂质的补偿作用深能级杂质Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的杂质能级等电子杂质与等电子陷阱半导体中的缺陷与位错能级（三） 1.复习内容 状态密度，Fermi能级，载流子统计分布，本征和杂质半导体的载流子浓度，补偿半导体的载流子浓度，简并半导体 2.具体要求 状态密度费米能级和载流子的统计分布本征半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度杂质补偿半导体的载流子浓度简并半导体及其载流子浓度简并化条件简并半导体的特点与杂质带导电载流子浓度的分析计算方法及其影响载流子浓度的因素（四）载流子漂移运动迁移率载流子散射半导体中的散射机制迁移率与杂质浓度和温度的关系电阻率及其与杂质浓度和温度的关系强电场下的效应高场畴区与Gunn效应 （五） 1.复习内容 非平衡载流子的产生与复合，非平衡载流子寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，非平衡载流子载流子的扩散与漂移，爱因斯坦关系，连续性方程。 非平衡载流子的注入与复合准费米能级非平衡载流子的寿命复合理论陷阱效应载流子的扩散运动载流子的漂移运动Einstein关系连续性方程及其应用试卷结构与考试方式1、题型结构：名词解释、简答题、问答题、计算题、判断题、绘图题。试卷满分为150分。 2、考试方式：闭卷 3、考试时间：180分钟参考书目1、《数字集成电路—电路、系统与设计》（第二版），Rabaey等著，周润德等译，电子工业出版社 2004年。 2、《半导体物理学》第五版刘恩科、朱秉升、罗晋生等著，国防工业出版社