以基体偏压控制消耗功率之3752Gz多频带压控-龙华科技大学.PDF

以基體偏壓控制消耗功率之 3.7 ~ 5.2Gz 多頻帶壓控振盪器 以基體偏壓控制消耗功率之3.7 ~ 5.2Gz 多頻帶壓控振盪器 莊友達 陳凰美 陳成端 龍華科技大學電子工程研究所 摘要 由於互補式壓控振盪器(Complementary Voltage Control Oscillator )架構，在相同的電 流情況下，提供較大的轉導值及負阻抗值，且輸出波形之對稱性較佳，因此本論文採 用此架構，再加以改良，使得電路在未經任何電壓、電流更改的情況下，電晶體提早 導通，加速壓控振盪器的起振時間，進而減少壓控振盪器的功率消秏。此晶片使用 TSMC 標準的 0.18 −μm 1P6M 製程來製作。在供應電壓 1.8V 下，壓控振盪器在中心頻率 4.482GHz ，偏移頻率(Offset)1MHz的地方相位雜訊 (Phase Noise)為-122.9dBc/Hz ，控制電 壓從 0V 到 1.8V時，頻率可調範圍 (tuning range)為 1460MHz 。效能指數(Figure of Merit , FOM)為-181.18dB 。總消耗功率為28.5mW 。 關鍵詞： 壓控振盪器、低相位雜訊、低消耗功率、基體偏壓 1.前言 在現今無線通訊的蓬勃發展下，使得製 造的技術進步得相當快。尤其是在射頻接 收端與發射端的積體電路進步最為快 速，其系統方塊圖如圖1所示。目前在這 領域下，為了成本的考量多半希望將電路 整合的更小使得面積變小，因此積體電路 圖1 射頻接收器方塊圖 應用在無線通訊也愈來愈普遍。在壓控振 盪器電路設計上，必須考量幾個效能重 2. 基體偏壓控制消耗功率的技術 點，如低雜訊、低電壓、低功率消耗，以 達到最佳的系統整合。由於無線通訊技術 目前 CMOS 射頻積體電路中之壓控振 廣泛的被應用，因此工作頻率也相對的越 盪器架構，有二種常見的架構，分別是環 來越高，而在射頻收發機(transceiver)的 型振盪器 (Ring Oscillator)與 LC 振盪器。 系統中的電路設計，變得越困難。為了達 環型振盪器的優點在於擁有較寬之可調 到最佳的系統整合，最主要的挑戰是以一 頻率範圍，然而當電路應用於高頻時，相 個鎖相迴路或頻率合成器提供此本地振 位雜訊上之表現不如 LC壓控振盪器。而 盪訊號 (LO signal) 。而這個鎖相迴路或頻 LC壓控振盪器之優點在於高頻操作時之 率合成器的中心結構為一個壓控振盪 相位雜訊的表現較佳，而缺點則是可調頻 器，它在前端射頻電路中提供了升頻與降 率範圍較小。 頻所需的本地振盪訊號，也因此它的電路 本論文採用 LC 壓控振盪器，常見的 特性好壞更影響了整個迴路的效能。 LC壓控振盪器依不同的交叉耦合架構電 73 龍華科技大學學報第二十五期 ,2008.06 路大致上可以分成三種 (1)NMOS 交叉耦 由上述可知，互補式交叉耦合架構有 合架構，如圖 2所示，其優點為可調頻率 NMOS的優點，也有 PMOS的優點，因 範