-4半导体的导电性.pptVIP

* * （3）?? 温度再进一步增加，电阻率随温度升高而降低。这时本征激发越来越多，虽然迁移率随温度升高而降低，但是本征载流子增加很快，其影响大大超过了迁移率降低对电阻率的影响，导致电阻率随温度升高而降低。当然，温度超过器件的最高工作温度时，器件已经不能正常工作了。 * * 2. 电导率、迁移率与平均自由时间的关系 平均自由时间 加速度 * * 电子迁移率大于空穴迁移率 * * 电导率 * * 3. 迁移率与杂质和温度的关系 由不同散射机构的概率与温度的关系: 电离杂质散射: 声学波散射: 光学波散射: 得到不同散射机构的平均自由时间与温度的关系: 电离杂质散射: 声学波散射: 光学波散射: * * 同时有许多散射机构存在时,要找出起主要作用的散射机构,迁移率主要由这种机构决定. * * 不同散射机构的迁移率与温度的关系: 电离杂质散射: 声学波散射: 光学波散射: * * 对掺杂的锗、硅等半导体，主要的散射机构是声学波散射和电离杂质散射。砷化镓中，光学波散射也很重要。 当杂质浓度很小时： 迁移率随温度升高而迅速减小。以晶格振动散射为主 当杂质浓度很高时： 低温：迁移率随温度升高而缓慢上升。杂质散射起主要作用 高温：下降。以晶格振动散射为主。 * * 这是Ge在300K下的电子迁移率和空穴迁移率示意图 电子迁移率 空穴迁移率 杂质浓度增大时，迁移率下降。也就是说，晶格振动不变时，杂质越多，散射越强，迁移率越小。 * * §4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系Temperature Dependence of Resitivity and Impurity Concentration 根据电阻率 得到： 由于载流子浓度和迁移率都与杂质浓度和温度有关，所以半导体电阻率也随杂质浓度和温度而变化。 * * * * * * 2.电阻率随温度的变化 本征半导体电阻率随着温度增加而单调地下降，这是半导体区别于金属的一个重要特征。 * * (2.2)杂质半导体 杂质离化区 过渡区 高温本征激发区 电离杂质散射: 声学波散射: 电离杂质散射为主 晶格振动散射为主 本征激发影响为主 * * §4.5 波尔兹曼方程 电导率的统计理论Boltzmann Equation,Theory of Resitivity 重点：分布函数f满足的方程 * * f0：热平衡状态下的分布函数 无外场作用且温度均匀时,半导体处于热平衡状态.电子占据能级E(k)的概率: Boltzmann分布 * * f=f（k，r，t）：非平衡态的分布函数 影响分布函数的因素： （1）外场——改变了电子的波矢和位矢,改变连续,称为漂移变化 （2）散射机构——不断遭受到散射的电子波矢产生突变,散射变化 1、Boltzmann方程 当有外场或存在温度梯度时,系统处于非平衡态,电子分布函数发生变化 * * 漂移项 散射项 * * 因此，得到非平衡态下Boltzmann方程的一般形式： 存在温度梯度,引起分布函数的变化 漂移使电子的波矢产生变化,引起分布函数变化. * * 讨论： * * * * 2、驰豫时间近似 从非平衡态逐渐恢复到平衡态的过程称为驰豫过程,驰豫过程持续的时间就是驰豫时间. 近似假设散射项: 该式表示一种驰豫过程,表明如果取消外场,由于散射作用,可以使分布函数逐渐恢复到平衡时的分布函数 * * 3、弱场近似下Boltzmann方程的解 电流密度 * * 弱电场情况下可忽略 速度与能量的关系: 分布函数对平衡态的偏离 * * 平衡态下电流 为零 * * 4.球形等能面半导体的电导率 对各向同性的散射, 与方向无关, 是对称的, 是奇函数,所以 即 * * 对非简并半导体, * * * * §4.6 强电场下的效应 热载流子（自学） Effect at Large Field, Hot Carrier * * 4-1、对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。 ? 4-2、何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ ? 4-3、试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系。 第2.4章 练习题 * * 第2.4章 练习题解答 4-1、对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试加以定性分析。 解：对于重掺杂半导体，在低温时，杂质散射起主导作用，而晶格振动散射与一般掺杂半导体的相比较，影响并不大，所以这时侯随着温度的升高，重掺杂半导体的迁移率反而增加；温度继续增加后，晶格振动散射起主导作用，导致迁移率下降。对一般掺杂半导体，由于杂质浓度较低，电离杂质散射基本可以忽略，