第1章二极管三极管和mos管.ppt

晶体管三个工作区的特点: 放大区: 截止区: 饱和区: 发射结正偏,集电结反偏 有电流放大作用, IC=βIB 输出曲线具有恒流特性 发射结、集电结处于反偏 失去电流放大作用, IC≈0 晶体管C、E之间相当于开路 发射结、集电结处于正偏 失去放大作用 晶体管C、E之间相当于短路 第1章 上页 下页 返回 3.主要参数 集电极基极间反向饱和电流 ICBO 集电极发射极间穿透电流 ICEO ICEO=(1+β)ICBO 交流电流放大系数β=△IC / △IB 第1章 上页 下页 直流电流放大系数β=IC / IB 电流放大系数 极间反向饱和电流 返回 ICEO C B E μA μA ICBO C E B 集电极最大允许电流 ICM 集-射反向击穿电压 U(BR)CEO 集电极最大允许耗散功率 PCM 过压区 过流区 安全工作区 过损区 PCM=ICUCE UCE/V U(BR)CEO IC/mA ICM O 使用时不允许超 过这些极限参数. 第1章 上页 下页 极限参数 返回 1.2.3 简化的小信号模型 三极管工作在放大状态时可用电路模型来表征它的特性。 建立简化小信号模型的条件： 1）三极管工作在放大状态; 2) 输入信号非常小（一般μA数量级） 上页 下页 第1章 返回 rbe = 200Ω+ （1+β）———— 26（mv） IE（mA） 三极管微变等效模型的建立步骤： iB 0 uBE Uce≥1V IB △IB △UBE 第1章 上页 下页 Q 输入回路微变等效电路 返回 b e rbe △UBE △IB ube ib = rbe = ib e c + - + - uce ube ic b 输出回路微变等效电路 iC 0 uCE IC Q UCE ?I C △UCE β = ——— △IB △IC rce = ——— △I ``C △UCE 第1章 上页 下页 iC= βib 返回 ic β= ib 受控恒流源 △IC △IB C e βib rce e 第1章 上页 下页 返回 ib e c + - + - uce ube ic b e b ib ic rce βib 等效模型 c uce ube rbe + – + – b ib iC c βib 简化模型 ube uce rbe – + + – 1.3 绝缘栅场效应晶体管 1.3.1 基本结构和工作原理 第1章 上页 下页 返回 1.3.2 特性曲线和主要参数 1.3.3 简化的小信号模型 概述 第1章 上页 下页 返回 场效应晶体管是利用电场效应来控制电流的一种半导体器件，绝缘栅型场效应管的应用最为广泛，这种场效应管又称为金属－氧化物－半导体场效应晶体管（MOS）。 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 增强型 耗尽型 按其导电类型可将场效应晶体管分为N沟道和P沟道两种，按其导电沟道的形成过程可分为耗尽型和增强型两种。 因而就出现了四种不同形式的场效应晶体管，它们是： 1.3.1 基本结构和工作原理 1.结构 B G栅极 D漏极 SiO2 B D G S P型硅衬底 S源极 N沟道增强型结构示意图 图形符号 第1章 上页 下页 返回 N+ N+ 2.工作原理 D与S之间是两个 PN结反向串联，无论 D与S之间加什么极性 的电压，漏极电流均 接近于零。 (1) UGS =0 结构示意图 衬底引线B UDS ID = 0 G D S P型硅衬底 SiO2 栅源电压对导电沟 道的控制作用 第1章 上页 下页 N+ N+ 返回 (2) 0 UGS UGS(th) 由栅极指向衬底方 向的电场使空穴向下 移动,电子向上移动。 UDS SiO2 G D S B 结构示意图 P型硅衬底 N+ N+ ID = 0 UGS 在P型衬底表面形 成耗尽层。 第1章 上页 下页 返回 (3) UGS UGS(th) 栅极下P型半导体表 面形成N型导电沟道。 当D、S加上正向电压 后可产生漏极电流ID 。 N+ N+ SiO2 G D S 耗尽层 B P型硅衬底 UGS N型导电沟道 ID 第1章 上页 下页 返回 UDS * 1.2 晶体三极管 1.3 绝缘栅场效应管 1.1 晶体二极管 第一章 半导体二极管、 三极管和MOS管 第1章 上页 下页 返回 1.1.2 二极管的特性和主要参数 1.1.3 二极管的电路模型 1.1.4 稳压二极管 1.1.1 PN结及其单向导电性 1.1 晶体二极管 第1章 上页 下页 返回 1.