(Mg4-xZnx)Ta2O9微波陶瓷的结构和介电性能.pdfVIP

第 22 卷第 3 期 粉末冶金材料科学与工程 2017 年 6 月 Vol.22 No.3 Materials Science and Engineering of Powder Metallurgy Jun. 2017 (Mg Zn )Ta O 微波陶瓷的结构和介电性能 4−x x 2 9 孔树，程立金，刘绍军 ( 中南大学 粉末冶金国家重点实验室，长沙 410083) 摘 要：结合高能球磨法技术，采用传统固态反应法制备了 Zn 掺杂 Mg Ta O 基单相刚玉结构微波陶瓷。在 XRD 、 4 2 9 SEM、Raman 等晶体结构及微观形貌的系统表征和微波性能测试的基础上，开展了 Zn 掺杂 Mg Ta O 基微波陶瓷 4 2 9 的结构和性能相互作用的研究。结果表明，在x=0~0.8 范围内，Zn 能够固溶进入 Mg Ta O 基体而形成单相刚玉 4 2 9 结构(Mg Zn )Ta O 陶瓷。XRD 精修结果进一步显示，Zn 掺杂可导致 Mg Ta O 陶瓷中氧八面体的扭转畸变。拉 4−x x 2 9 4 2 9 曼光谱结果显示，Zn 掺杂使 Mg(Zn)—O 键之间的振动减弱。而 Zn 取代 Mg 使 Mg(Zn)—O 键长变长和键能减弱 是未掺杂 Mg Ta O 陶瓷的品质因子从 169 074 GHz 下降到(Mg Zn )Ta O 陶瓷的 68 173 GHz 的关键因素。 4 2 9 3.2 0.8 2 9 关键词：微波陶瓷；掺杂；晶体结构；介电性能 中图分类号：TM22 文献标志码：A 文章编号：1673-0224(2017)03-354-06 Crystal structure and dielectric properties of (Mg Zn )Ta O 4−x x 2 9 microwave ceramics