浅析芯片设计的考量因素.pdfVIP

研究与设计IResearchandDesign 浅析芯片设计的考量因素 沙丛蓉’，程哲2 (1海南大学信息科学技术学院 。海南 570228；2华南理工大学，广东510006) 摘要 ：近年来。随着ARM的走红，ARM独特的授权模式也帮助越来越多的中国芯片产业成长起 来。尤其是华为海思的成长 ，更是让很多人感到鼓舞。通过客观介绍芯片的设计制造流程 ，解说 芯片设计的考量因素。 关键词：集成电路设计；工艺制程 ；ARM；IP核 中图分类号：TN402 文献标识码：A 文章编号：1674—2583(2017)03-0040-04 DOI：10．19339／j．issn．1674-2583．2017．03．010 中文引用格式：沙丛蓉，程哲．浅析芯片设计的考量因素[J】I集成电路应用，2017，34(3)：40—43． AnalysisofChipDesignC0nsjderati0ns SHACongrong1CHENG zhe2 ． (1．Schoolofinformationscienceandtechnology，HainanUniversity，Hainan570228，China； 2．SouthChinaUniversityofTechnology，Guangdong510006，China．) Abstract：Inrecentyears，withthepopularityofARM，ARM uniquelicensingmodelhelpsmore andmoreChinesechipindustrygrew up，especiallyHUAWEIHass’Sgrowth，andalotofpeople feelinspired．By introducingthedesignandmanufacturingprocessofthechip，thefactorsof chipdesignareexplained． Keyword：IC design，processplanning，ARM，IPcore 1工艺制程并不是越小越好 借助光可以在硅片上蚀刻下痕迹 ，掩膜就可以 对于芯片，经常能听到有人争论 40nm工艺、28 控制硅片上哪些部分会被蚀刻。掩膜覆盖的地方， nm工艺、14Nm工艺，甚至 10Nm、7Nm，那么这个多 光照不到，硅片不会被蚀刻。硅片被蚀刻后 ，再涂 少nm数值指得是什么呢? 上氧化层和金属层，再蚀刻，反复多次，硅片就制 它指的是MOS管在硅片上的大小，MOS管就是晶 造好了。一般来说 ，制作硅片需要蚀刻十几次 ，每 体管，它是组成芯片的最小单位，一个与非门需要 4个 次用的工艺 、掩膜都不一样 。几次蚀刻之间，蚀刻 MOS管组成，一般一个ARM 四核芯片上有 5亿个左右 的位置可能会有偏差 ，如果偏差过大，出来的芯片 的MOS管。世界上第一台计算机用的是真空管，效果 就不能用了，偏差需要控制在几个am 以内才能保证 和MOS管一样，但是真空管的大小有两个拇指大，而 良品率，所以说制作硅片用的技术是人类 目前发明 现在最先进工艺蚀刻的MOS管只有 7nm大小。 的最精密的技术。 如何在一个 l5mmxl5mm 的正方形硅片上制作出 芯片可以靠掩膜蚀刻，批量生产，但是掩膜必 5亿个大小仅为40nm 的MOS管。如果要用机械的方 须用更高精度的机器慢慢加工制作 ，成本非常高， 法完成这一过程，世界上很难有这么精密的仪器，可以 一 块掩膜造价十万美元。制造一颗芯片需要十几块 雕刻出nm 级的MOS管，就算有 ，要雕刻出 5亿个， 不同的掩膜，所以芯片制造初期投入非常大，动辄 所需要的成本、时间也是难以估计的。 几百万美元。芯片试生产过程 ，叫做流片，流片也 作者简介：沙丛蓉，海南大学信息科学技术学院，研究方向：电子技术及其应用。 收稿 日期：2016～lO一11，修回日期：2017一卜8。 4Ol集成电路应用 第34卷第3期 (总第282期)2017年3月 ResearchandDesign I研究与设计 需要掩膜 ，投入很大，流片之前，谁都不知道芯片 其实电阻也有感抗 ，只是非常