装配氮化镓场效应晶体管（eGaNFET）.PDFVIP

下载本文档

14
0
约4.58万字
约 7页
2017-09-22 发布于江苏
举报
版权申诉

装配氮化镓场效应晶体管（eGaNFET）.PDF

1、本文档共7页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

装配氮化镓场效应晶体管（eGaNFET）

应用笔记装配氮化镓场效应晶体管装配氮化镓场效应晶体管 (eGaN® FET) EFFICIENT POWER CONVERSION eGaN FET促进了先进电源转换效率的新发展及订立了全新性能基准，因为它使用晶片级LGA封装，可以缩小电路板面积、杂散电感及寄生电阻。我们在这篇应用笔记讨论怎样于电路板上焊接使用LGA封装的eGaN FET 。由于eGaN FET体积和间距都小，与焊接更大体积和具较低效波形系数的器件相比，焊接时需要特别小心。 Second Generation eGaN® FETs ® eGaN FET 的构造 eGaN FET具备4种不同的构造版图（图1 ）。从2011年9月开始，所有器件都是无铅及无卤化物。符合有害物质限制条例要求的LGA封装使用含95.5%Sn ，4%Ag和0.5%Cu焊料的焊盘。焊球高度为100 μm +/- 20 μm 。 A A f f f f X3 X9 d 2 2 X 2 d X 2 3 4 5