ALD淀积高k栅介质材料与器件特性研究.pdf

摘 要 摘 要 随着大规模集成电路VLSI (Very Large Scale Integrated circuits)技术的迅猛发 展，半导体器件的特征尺寸遵循着摩尔定律不断地减小，在进入到 45nm 工艺节点 下，MOS 晶体管的栅氧化层的等效厚度降低到了 1nm 左右，如果仍采用常规的 SiO2 栅介质，将带来不可接受的栅漏电流，并引起可靠性下降等严重问题，这给 集成电路的的进一步发展带来了巨大的阻碍，意味着传统的 SiO2 作为器件的栅介 质已经达到了物理极限。解决这个问题的唯一办法是用具有较高介电常数的电介 质材料取代 SiO2 用作栅介质层。高 k 栅介质可以在保持等效厚度不变的条件下增 加栅介质层的物理厚度，可以大大减小直接隧穿效应和栅介质层承受的电场强度。 本文对高 k 栅介质材料与器件进行了系统地研究，取得的主要研究成果如下： 1. 对 ALD 生长工艺进行了研究。通过实验得出了生长温度、pluse time 、purge time 和氧化剂对使用 ALD 设备生长高 k 栅介质材料的影响。结果表明，只有当循 环数大于某一数值后，生长速率才基本保持稳定。不同工艺参数和氧化剂对使用 ALD 设备生长的栅介质材料影响较大，主要体现在杂质含量、高温特性、原子化 学计量比和平带电压表现出了较大的差异。在 HfO 和 SiO 界面采用 Al 预处理技 2 2 术进行平带电压调整，进而达到阈值电压调节的目的，实验证明，Al 预处理技术 可以对高 k 栅器件的阈值电压进行有效地调节。 2. 通过对椭偏测试结果进行转换和分析，得到了高 k 介质的禁带宽度。受量 子限域效应的影响，介质的禁带宽度与厚度成反比关系，并且随着厚度的增加， 禁带宽度趋于稳定；退火后介质的禁带宽度会略微增大。与 H2O 生长的 HfO2 相比， O3 作为氧源生长的 HfO2 的禁带宽度要略小，但是生长温度对 O3 作为氧源生长的 HfO2 的禁带宽度有较大影响。由于高k 栅结构价带差和导带差的重要性，利用 XPS 谱图，结合价带谱以及椭偏对不同厚度 HfO2 禁带宽度的测量结果，对不同厚度 HfO 的导带差和价带差进行了计算，得到了精确的HfO -Si 体系的能带结构。 2 2 3. 采用ALD 淀积工艺生长了高k 栅介质薄膜，制备了相应的高k 栅介质器件， 对高 k 栅器件的 I-V 漏电机制进行了研究和分析。研究了 ALD 淀积工艺生长的高 k 栅 MOS 器件中的频率色散效应。根据样品的测量结果发现，高频条件下积累区 电容出现了频率色散现象。针对双频C-V 法测量高 k 栅 MOS 电容中制备工艺和测 量设备引入的寄生效应，给出了改进的等效电路模型，消除了频率色散效应。 4. 分析了不同退火温度和电应力对HfO2 高k 栅介质应变 Si 和应变 SiGe MOS 器件的特性的影响。对比了同样栅氧层厚度的 HfO2 Si、HfO2 应变 Si、应变 SiGe 以及HfO2 MOS 器件的栅电流，受氧化层势垒高度和界面态密度的影响，HfO2 应 i ALD 淀积高 k 栅介质材料与器件特性研究 变 Si MOS 器件中的栅漏电流最小，而 HfO2 应变 SiGe MOS 器件中的栅漏电流最 大。分析了电应力对 HfO2 应变 SiGe 和 HfO2 应变 Si MOS 器件栅极 I-V 特性的影 响，发现正压应力会使得 HfO2 应变器件的栅漏电流减小, 而负压应力对器件栅极 I-V 特性影响不大。 5. 通过结合主要的散射机制极化光学声子散射和声学声子散射，经过系综蒙 特卡罗，系统地研究了高 k 栅介质 HfO2 中电子高场输运机理。研究发现，尽管声 学声子散射对能量弛豫没有贡献，但由于在电子能量比较高的时候，声学声子散 射率急剧增加，