动态阈值控制技术及其在SOICMOS电路中应用.pptVIP

中国 无锡 2005年1月 * 动态体控制技术在SOI CMOS低压低功耗电路中的应用 刘 忠 立 中国科学院半导体研究所 2005 年1月 中国 无锡 2005年1月 * 主要内容 一、引言 浮体 二、动态体控制及在低压低功耗电路中的应用 1）SOI动态体控制的工作原理 2）SOI动态体控制的100级倒相链 三、DTMOS器件 四、DTMOS反相器 五、DTMOS缓冲器 六、其它DTMOS器件 七、结语 中国 无锡 2005年1月 * 一、引言 浮体 在PD(部分耗尽)SOI MOSFET中,导电硅膜下方存在中性浮体。当器件导通时，浮体会造成器件阈值电压降低，并使漏极电流突然上升，这便是Kink(扭曲)效应。这一效应对CMOS电路，特别是CMOS模拟电路有不良影响。 为了减小及避免Kink效应, 常采用体引出技术：即将中性体引出接地或接某一固定电位，及时排出积累的空穴。 同时，体作为一个电极，增加了SOI MOSFET阈值特性控制的自由度，并可以将它用于改善低压低功耗SOI CMOS电路特性。 中国 无锡 2005年1月 * 二、动态体控制技术及在低压低功耗电路中的应用 中国 无锡 2005年1月 * 低压低功耗电路的矛盾 对于低电源电压的VLSI电路，CMOS器件的阈值电压辐度VT不能大。 对于标准的体硅CMOS器件，从亚阈值漏电电流考虑，VT辐度又不能太小；当太小时亚阈值漏电电流太大，使动态电流及低功耗应用成为问题。 而SOI结构，通过对浮体的动态控制，可以用于低压(1V)的CMOS电路。 中国 无锡 2005年1月 * 浮体效应及其影响 PD SOI NMOS器件的Kink效应同体中空穴积累相关。在漏附近高场作用下，高能电子产生碰撞电离，从而产生电子空穴对，电子流向漏，空穴流向浮体，并在源附近埋SiO2界面积累。由此产生局部体电位增加而阈值电压降低，它使漏电流突然上升. 中国 无锡 2005年1月 * 1、SOI动态体控制的工作原理 动态浮体控制SOI CMOS有三种工作模式，如图1所示：有源(图1a)，扫出（图1b）及预备（图1c）。 在有源模式工作中，利用浮体效应时VT小驱动电流大的优点。 在完成有源模式工作以后，进入预备模式前，控制器件电压，使浮体电荷扫出，此时源极电压为负值(－V1)，器件源体结正偏，浮体积累的电荷迅速放电，浮体电压迅速下降。 在扫出模式以后，源电压返回至地电位，进入预备模式。此时，因为体电位仍保持相当低的电位，由于高的VT使漏电电流降低，从而保持低功耗。 这即为动态浮体SOI CMOS电路。 图1 SOI CMOS电路动态浮体控制的工作原理图 中国 无锡 2005年1月 * 2、SOI动态体控制的100级倒相链 图2(a)示出的是一个利用SOI动态浮体控制技术的100级倒相链电路例子。从图中可以看出，增加了附加的电源，用来控制扫出模式工作时PMOS及NMOS器件的源极电压。 图2(b)示出SOI动态浮体控制技术的时序图。有源模式:VBCC,VCC均为1V,VBSS,VSS均为0V,VT小;扫出模式: VBCC为1.5V, VBSS为-0.5V,源体结正偏, VT增加;预备模式:附加的电源同有源模式,但保持扫出模式大VT,使功耗降低. 采用SOI动态浮体控制技术，可以用小的布图面积，通过动态控制体电势,无需多余的体接触,就可以得到低功耗亚1V电源电压的SOI CMOS电路。 图2 (a)利用SOI动态体控制技术的100级倒相链电路及b) SOI动态体控制技术的定时波形 中国 无锡 2005年1月 * 三、DTMOS器件 中国 无锡 2005年1月 * 图3 DTMOS截面图及体栅连接 DTMOS，即动态阈值MOS，是一种可用于超低压VLSI的器件，其截面示于图3。其栅体偏置在相同电位。 当栅压高时，顶栅沟道导通，体也处于高电位。由于体效应，顶栅阈值电压变小，因而器件驱动能力增加。当栅压变低时，顶栅沟道截止，由于体电压变低，顶栅阈值电压恢复大的值，这样漏电电流减小。 由此可见，DTMOS提供了更高的导通及截止比特性。 DTMOS器件的截面图 中国 无锡 2005年1月 * SOI NMOS的阈值电压VT同体源电压VBS的关系 图4 SOI NMOS的阈值电压VT同体源电压VBS的关系 由图4可以看到，当体源结零偏时，DTMOS (SOI NMOS) 阈值电压VT最大，VGS增加VBS也增加，结果阈值电压减小。 当体源电压达到2?b(?b是费米势)时，阈值电压VT达最小值=2?b－Vfb(Vfb为平带电压)。