第8章++晶体薄膜的衍射衬度原理概述.ppt

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第8章晶体薄膜的衍射衬度原理概述

对于给定的缺陷 是确定的, 是用以获得衍衬图像的某一发生强烈衍射的晶面倒易矢量,即操作反射。 式中 它既可以是整数,也可以是分数。 对于相同的操作反射, 即g不变,对于不同的晶体缺陷,它的位移矢量不同,因而有不同的N 值; R不变(缺陷不变),用不同的g,N 值不同。 讨 论: 当N为整数时,缺陷引起的附加位相角α是2π的整数倍,缺陷对衍射强度的贡献为0,此时,缺陷不显示衍射衬度(不可见) 当N值是分数时,缺陷的存在将引起衍射强度的变化,此时,缺陷显示衬度(可见) 特别地,当N=0时,即,晶体缺陷的位移矢量位于操作反射对应的晶面内,即使有点阵位移,对衍射强度也没有贡献,此时缺陷不可见。 缺陷是否可见的重要判据 ! 结 论 8.7.1 位 错 1.位错线衬度产生及其特征 位错是一种线缺陷,表征位错晶体学特性的基本物理量是它的柏氏(Burgers)矢量 b 。 根据柏氏矢量与位错线的关系,位错可分为刃型( b ⊥ u位错线)、螺型( b // u位错线)和混合型( b即不平行也不垂直位错线)。 由于位错的存在,在位错线附近的某个范围内点阵将发生畸变,其应力和应变场的性质均与b直接有关。 不管何种类型的位错,都会引起在它附近的某些晶面发生一定程度的局部转动,位错线两边晶面转动方向相反。且离位错线愈远,转动量愈小,如果采用这些畸变的晶面作为操作反射,则衍射强度将受到影响,从而产生衬度。 下而先定性地讨论位错线衬度的产生及其特征 (hkl)位错线畸变晶面 设该晶面的偏离参量为S0,且S00, 位错引起(hkl)晶面额外的附加偏差S/ ,在位错线的右侧,S/0,在其左侧S/0 右侧区域内,晶面的总偏差 S = S0 + S/ S0 左侧区域内,总偏差 S = S0 + S/ S0,, 且在某位置(例如D/)恰巧使S = S0+S/=0,衍射强度最大 在偏离位错线实际位置产生位错线的像,暗场像中为亮线,明场相反 位错像相对于样品中实际位错线的位置偏离的大小和方向,主要取决于偏离参量s的符号(或操作矢量g的指向)及位错本身的性质。 下图是正刃型位错的情况 S’ 0 S’ 0 S’ 0 S’ 0 2.位错可见性的判据 (1)刃位错 对于刃位错,位移矢量 R 的方向不与 b 一致,如图所示。为了分析方便,把刃位错引起的点阵位移矢量分解成平行的分量 R1 和垂直于滑移面的分量 R2,即, 先从两个特例来说明刃型位错的不可见性。 ? 入射束垂直于滑移面 R1 // b R2 B 此时,位错能否可见主要取决于 如图 ? 入射束与滑移面平行 R1 // b R2 B 如图 但 位错仍然可能显示衬度 不能作为刃型位错的不可见性判据 即 刃型位错的位移矢量 R 的表达式 式中,(r,φ) 是垂直于位错的平面上的一点的极坐标,以位错芯为极点, 布氏矢量b为极轴; R 是极坐标为(r,φ)一点处的位移矢量 u 是沿位错线正方向的单位矢量; ? 是泊松比。 因此,对于刃型位错,在理论上,只有当满足 位错的衬度才会完全消失。 实际上,这个条件很难达到,故通常当参数 时,实际上位错就看不见,所以刃位错的不可见性判据为: 位错线正方向的单位矢量。 (2)螺位错 AB为螺位错,布氏矢量为b 取位错周围PQ晶柱 x-晶柱和位错线间的水平距离 y-位错线至膜上表面的距离 z-表示晶柱内不同深度的坐标 t-薄晶体的厚度 R-是缺陷引起的晶柱畸变位移矢量 β - 角坐标,是位错在样品中的位置因数 则有关系 显然R不是常数,它与β有关。当样品中某位置对应β为2π时,点阵位移恰好为b. 由此可知, 一般不会是整数,因此,螺位错的不可见性判据为 由缺陷可见性判据 (3)混合位错 在多数情况下,晶体中的位错是混合型位错,即柏氏矢量既不平行位错线,也不要垂直于位错线。混合位错的位移矢量 R 的表达式比较复杂, 式中,(r,φ) 是垂直于位错的平面上的一点的极坐标,以位错芯为极点, 布氏矢量b为极轴; R 是极坐标为(r,φ)一点处的位移矢量 be 是位错的刃型分量; u 是沿位错线正方向的单位矢量; ? 是泊松比。 其衬度主要取决于: 只有它们同时为零时,位错才不可见。 综上所述,对大多数情况,并非 就一定看不见位错。 使位错消失的充分条件是: 事实上,只要 而 和 二者虽不为0,这时,只有很弱的残余衬度,仍然可视为不可见。 表:弹性各向同性晶体位错衬度消失条件 螺位错 刃位错

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