模拟电子技术基础 二版 胡宴如 2.3　场效应管及其基本应用.pptVIP

2.3 场效应管及其基本应用 图2.3.1 增强型NMOS管的结构与符号 图2.3.2 增强型NMOS管的导电沟道 图2.3.3 增强型NMOS管的特性曲线 图2.3.4 耗尽型NMOS管的结构与符号 图2.3.5 耗尽型NMOS管的特性曲线 图2.3.6 N沟道结型场效应管的结构与符号 图2.3.7 例2.3.1图 2.3 场效应管及其基本应用 续 图2.3.8 gm为转移特性曲线上工作点处切线的斜率 图2.3.9 场效应管基本放大电路 图2.3.10 场效应管的小信号模型 图2.3.11 场效应管放大电路的分析 图2.3.12 场效应管的开关作用 图2.3.13 结型场效应管的伏安特性测试 图2.3.14 uDS对NEMOS管iD的影响 图2.3.15 uDS对NEMOS管导电沟道的影响 图2.3.1 增强型NMOS管的结构与符号 图2.3.2 增强型NMOS管的导电沟道 图2.3.3 增强型NMOS管的特性曲线 图2.3.4 耗尽型NMOS管的结构与符号 图2.3.5 耗尽型NMOS管的特性曲线 图2.3.6 N沟道结型场效应管的结构与符号 图2.3.7 例2.3.1图 图2.3.8 gm为转移特性曲线上工作点处切线的斜率 图2.3.9 场效应管基本放大电路 图2.3.10 场效应管的小信号模型 图2.3.11 场效应管放大电路的分析 图2.3.12 场效应管的开关作用 图2.3.13 结型场效应管的伏安特性测试 图2.3.13 结型场效应管的伏安特性测试 续 图2.3.14 uDS 对NEMOS管 iD 的影响 图2.3.15 uDS对NEMOS管导电沟道的影响 * * * (a) 结构 (b) 电路符号 uGS UGS(th) 时产生导电沟道 (c) uGS 增大 时导电沟道变宽 D与S之间外加电压时沟道流过电流iD 输出特性 转移特性 结构 符号 输出特性 转移特性 结构 符号 电路 直流通路 交流分析 小信号模型 简化小信号模型 (a) 共源极放大电路 (b) 直流通路 交流通路 小信号等效电路 CMOS反相器电路 uI=0 时得等效电路 uI=VDD时得等效电路 测试电路 转移特性 参数设置对话框 使沟道宽度不均匀 uDS=uGS-uGS(th)时， 沟道被预夹断 uDSuGS-uGS(th)时， 预夹断点A向源极移动