非掺半绝缘砷化镓中位错对碳微区分布影响.pdfVIP

。!!堡兰丝塞壁些堡主竺童翌堡堂垦坌壹箜墅堕．，一一——— 由于极性的存在，使闪锌矿结构的晶体的解理面改变，一股’隋况下，面心立方晶体中，{1ll湎 间的面间距和面密度最大，相邻晶面间，单位面积上作用键最少．应该是晶体的解理面。但对闪锌矿结 构的砷化镓来说，虽然也是面心立方结构，但由于它的{lll}面是带异性电荷的砷原子和镓原子组成的， 面的面间距虽然比{111}面小，但{110)面是数目相同的异类原子组成，从整体来说，异类原子间的引力 和同类原子间的斥力抵消，分离比较容易，成为主要解理面。 闪锌矿晶体结构的[111】方向上的A面和B面，在一般含由氧化剂的腐饰液中．腐饰速度也不同， B面原子(负电性大的原子)比A面原子化学反应性高，易氧化，B面的腐饰速度比A面快。A面腐 蚀速度较低，但位错露头的腐蚀速度更快，故在A面容易显示出腐蚀坑，B面的腐蚀速度大，接近于 位错露头处的腐蚀速度，故位错坑显现慢。 在晶体生长中，闪锌矿结构晶体111方向上，A面和B面的生长速度和晶体完整性也不一样，B 面的品体生长速度慢，易得单晶，晶体的完整性比A方向好，位错密度也低，这可能是B方向负电性 大的原子，已有四个呈四面体对称的键，其价键没有发生畸变，基本上保持原来的四面体结构，这是完 整性好的原因。 1-1—2GaAs材料的特性 x10一／K， 固态GaAs密度为5．3169／cm3，原子密度为4．4279X1023atom／em3，线性膨胀系数为5，73 明显下降，一般的可表示为【l】= 2(n／no)1” (1．1) XGaAs=KGns／T1 式中no=2．1×1016cm～，nno，KoaA；为常数(约为507)，T≥77K。 衬底含有不同程度的杂质，其电阻率为107～109Q·cm。不正确的表面处理，会导致表面电阻率减小几 个数量级“1。 GaAs同硅、锗相比具有以下重要性能：p4J 比锗、硅困难。 2、 温下的电子迁移率最高才为3900cm2／v·s和1500cm2／v·s。 2 翌韭三些奎堂翌主兰壁垒苎 3、特殊的能带结构。GaAs的导带最低能级与价带最高能级均位于布里渊区的中心，即K=0的 部位，具有直接跃迁禁带宽度，使光电转换效率高。另外GaAs存在着卫星能谷，它的最小值为o．36ev， 庄真正的能谷之上。GaAs的双能谷的导带结构能产生耿氏效应。 4、介电常数小，使GaAs器件可在更高频率下工作。GaAs中杂质电离能小，其中的杂质在极低的 温度F仍然可以电离．从而保证GaAs器件在极低温度下照常工作。GaAs器件本身内部载流子的热运 可以耐更高的反向电压，而且反向电流小，有利于制作大功率器件。另外GaAs可以引入一些深能级杂 米能级进入能带的重掺半导体。 GaAs在常温下比较稳定，在500。C以上开始分解，在1238 在氧气氛中加热到600。C时，生成有干涉色的氧化膜，主要成分为Ga203，这种氧化膜不能掩蔽杂质的 有机溶剂，卤素有机溶剂可作为GaAs的抛光腐蚀剂“1。 表1．1Gahs和si材料参数比较”“0 Table 1．t betweenGaAsand Compareofparameter Si 晶格结构 闪锌矿 金刚石 ‘ 密度 5．3079／cm3 2．3289／cm。 1．1-3 GaAs材料的应用领域和市场前景 1．13．1应用领域 当今．科学的高速发展，技术的频繁交流及商务的往来，极需迅速传送及处理情报信息。这首先需 要将信号作高频化和数字化处理，为此要求半导体器件满足高频、高速、低噪声、低工作电压。这正是 光纤通讯、卫星广播、情报处理及