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中子辐照gaas快速退火行为的低温光荧光研究
19 1 Vol . 1 9 , No . 1
1 99 83 CHINESEJOU RNAL OF LU MINESCENCE Mar . , 199 8
中子辐照GaAs 快速退火行为的低温光荧光研究
刘 健 王佩璇
( , 100083)
( 10 ) ( )
K PL
. : PL ,
C . , Ge Ga ;
As
, . ( 1017 / 2) , 800 (20 ) ,
Ge As n cm
( + 200 ) - , ( 101 / 2 1016 / 2)
GaAs E V meV IGa VAs n cm n cm
, , PL .
GaAs, ,
1 引 言
. , GaAs
. , GaAs
GaAs .
[ 1, 2]
GaAs ( PL) .
, , . GaAs
( V+ 30 ; V + 200 ) , , V+ 30 A s
E meV E meV E meV Ga
V As
, E + 200meV Ga . , M . Satoh PL
[ 3] 18 2
: 3. 710 n/ cm , ,
As[ ( - ) ] .
Ge Ge B A
. .
2 实 验
- . 12108 ,
SI GaAs cm
3 2
610 cm / Vs.
1 2
101 . 10 n/ cm
17 2 13 2 16 2
10 n/ cm , 0. 1M eV 10 n/ cm 10 n/ cm .
, 200800 , 20 .
IFS120HR .
+
, 10K . Ar , 51 . 5nm . 5mW.
GaAlAs .
1997 5 19
1 : GaAs
51
3 结果和讨论
1 SI-GaAs PL .
- 1
1. 5130eV ( 12210cm )
1. 956eV( 12070cm- 1) .
.
. 1. 956eV
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