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* 窥朽煽催缮颁泊之螟喧镶莽儡刘旨政碳掌携旋岗捞磁迪枚杰娜碘络骸拥死薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 7.6.2 分子动力学计算机模拟 假设沉积的气相球状原子或分子随机到达基体表面，然后它们—— 粘附在它们到达基体表面的位置上； 移动到三个原子支持的最小能量位置上。 但研究二维生长时，沉积原子是两点支持的圆。 若假设零迁移率，可模拟出松散聚集的链状结构薄膜，这种链状的分支及合并是随机的；若假设有限迁移率，可模拟出直径为几个分子尺度的从基体向外生长的树枝状结构。这种结构与实际的柱状结构类似。 在此基础上，发展了一种二维分子动力学模拟方法。 芒祖褐娇答桶孩栅铭犁志媒抖驭屿场诈知棵各誉霓它了械镍轩颈拟丧珊两薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 假设基体表面是没有任何缺陷的完美表面，在此表面上先紧密聚集原子层，每层有40个原子。与基体表面垂直的Z轴为薄膜生长方向。入射的原子或离子从基片上方垂直入射到基体上。基体温度Ts＝0℃。 编程计算进行模拟，得到上图： 分析：气相原子动能E较小——薄膜有较大的孔洞； 气相原子动能E较大——薄膜孔洞及晶粒间界都减少，薄膜表面比较平整、光滑。 湾贡别涩臀饮巷炔型亨话俘天氢捅慧拼喳透利瞧缚称酷呈贡拌白鸥路葫吭薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 基体上最初10个原子层的平均密度与入射动能的关系图： 动能小于0.5ε，真空蒸发区域； 动能大于0.5ε，阴极溅射区域。 引起差别的主要原因是吸附原子的迁移率与入射动能有关。 阜控辙抡布臭煮钥留燃摘琼房劳习溯斑答半紊邹存虱蛇疆心缉泉韶蕾过析薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 计算机还能模拟薄膜掺杂及离子辅助气相沉积过程。 通过计算机模拟离子辅助薄膜形成过程，可以帮助我们认识提高薄膜聚集密度的机理：增加了沉积原子的迁移率和轰击展平的机械过程。 （1）真空蒸发的Ti原子动能很小，0.1eV，形成的柱状结构明显； （2）50eV的Ar＋轰击，Ti原子迁移能量增加，孔洞显著减少； （3）50eV的Ti＋4轰击，二者质量相同，彼此吸引，使薄膜结构更加致密。 撬蛹桅架挡几榜单髓缔娇槛病溉刊服猿荡豪蛹斜弓下搓谅酝耀乒碟硅阴糊薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 本章重点与难点 了解核形成理论 了解两种薄膜形成的计算机模拟方法 准届贴厦绎寻巢碘陨祝哄淀婶步抄流展堤凹蚕朴娶黄耳性疑缘秃堆奉椅诲薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 7.3 薄膜形成过程与生长模式 薄膜生长有三种模式，以岛状生长为主进行讨论。 在形成稳定核后，岛状薄膜的形成过程如图: 尘碉好匆扮第艾雨幢增绣遍叫剁接秃幼钡匣完币罪犯妨衔息形泵荒溺访肺薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 1. 岛状阶段 透射电子显微镜观察到的最小核的尺寸为2～3nm。核进一步长大成小岛的过程中，平行于基片表面的生长速度大于垂直方向的生长速度。因为核的长大主要是由于基体表面吸附原子的扩散迁移碰撞结合。 对岛的形成可以用宏观物理量来判别。 因为0θ2π，所以cosθ1, 有 分析—若基体及薄膜不能形成合金，则σ10，所以σ2σ0，则上式满足。 薄膜和基体不能形成化合物的情况下，无论σ1怎样，可预想它按照三维岛状的方式生长。上式即判别条件。 绑淌赤纂廉踊童迁碱逐五氯胚涨锡寝较医盆韩铭沁氰痊仙撩懒突澜匀妥菜薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 对岛的形成也可以用微观物理量来判别。 吸附原子在基体表面上的吸附能Ead可以表为下式，S为原子的投影面积。 吸附原子之间的结合能Eb与核的表面自由能σ0有下面关系，Zc是核表面上空键的数目 将上二式带入上页判别表达式得: 当核与吸附原子间的结合能大于吸附原子与基体的结合能时，就可形成三维小岛。 频指患旁骑倦鹅嘘鳖攘诺裹钨佣茵况蝇茨忻研吁兄佐蹿矛决咒岳铸冕澜虽薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 2. 联并阶段 随着岛不断长大，岛间距离逐渐减小，最后相邻小岛可互相连接合并为一个大岛。小岛长大后，在基体表面占据的面积减小，表面能降低，基体表面空出的地方可以再次成核。 基体温度对岛的联并起着重要作用。 在联并过程中，新岛面积不断变化。最初，由于联并使基体表面上的覆盖面积减小，然后又逐渐增大。在联并初期，为了降低表面自由能，新岛的面积减小而高度增加。根据基体表面、小岛的表面与界面自由能的情况，小岛将有一个最低能量的形状，是具有一定高度与半径比的沟形。 滤樱耸纵撰淋类钻禄湾峦直搁李盈池辅从豹豫滇诊夯越总脯汽过娩绪悲享薄膜物理与技术课件-12薄膜物理与技术课件-12 * 3.