抗还原型PZT压电陶瓷的制备与性能.PDFVIP

第41 卷第3 期 刘桂香 等：共沉淀法制备ZnO 基纳米复合粉体及高压ZnO 压敏电阻的电性能 ·1 · 第41 卷第3 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 41 ，No. 3 2 0 1 3 年 3 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY March ，2013 DOI ：10.7521/j.issn.0454–5648.2013.03.00 抗还原型PZT 压电陶瓷的制备与性能 尚勋忠，刘越彦，孙 锐，郭金明，周桃生，常 钢，何云斌 (湖北大学材料科学与工程学院，功能材料绿色制备与应用教育部重点实验室，武汉 430062) 摘 要：采用固相法制备出可在低氧压和还原性气氛中烧结的压电陶瓷材料。材料最佳组成为：Pb Sr (Zr Ti O +0.03% (质量分数) 0.95 0.05 0.54 0.46) 3 CuO+0.05%Nd O +1.0% Sb O 。通过施主和受主共同掺杂，既抑制了烧结过程中氧空位扩散，又避免了Ti4+与自由电子结合转变成为Ti3+ ，使陶瓷保 2 3 2 3 持了压电性能。结果表明：添加半径合适的稀土元素，是使陶瓷具有抗还原性能的关键之一。当烧结温度为1 050 ℃时，陶瓷压电应变常数d33 = 294 T pC/N，平面机电耦合系数k = 43.56%，相对介电常数ε /ε = 1 333，介电损耗tan δ= 0.019 7 。该材料可应用于与Ni 、Cu 等贱金属低温共烧的叠层压 p 33 0 电器件中，能够大大降低器件的成本。 关键词：压电陶瓷；锆钛酸铅；稀土掺杂；抗还原气氛烧结 中图分类号：TM282 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2013)03– 网络出版时间： 网络出版地址： Preparation and Properties of Reduction-resistant PZT Piezoelectric Ceramics SHANG Xunzhong ，LIU Yueyan ，SUN Rui ，GUO Jinming，ZHOU Taosheng ，CHANG Gang，HE Yunbin (Faculty of Materials Science and Engineering, Hubei University, Key Laboratory of Green Preparation and Application of Functional Materials, Ministry of Education, Wuhan 430062, China) Abstract: A piezoelectric ceramic, which can be sintered under low-oxygen condition and reducing atmosphere, was prepared by a