侧墙技术在相变存储器中应用.pdfVIP

下载本文档

17
0
约2.73万字
约 8页
2017-10-29 发布于北京
举报
版权申诉

侧墙技术在相变存储器中应用.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

加工、测量与设备 and Processing，MeasurementEquipment 侧墙技术在相变存储器中的应用付英春，王晓峰，张加勇，徐晓娜，马慧莉，季安，杨富华 (中国科学院半导体研究所半导体集成技术工程研发中心，北京100083) randomaccess 摘要：从相变存储器(phasechange memory，PCRAM)的基本结构和工作原理出发，首先介绍了PCRAM的技术优势、面t临的技术挑战、常用的解决策略以及存在的相应问题；接着阐述了在微电子加工中广泛应用的关键工艺——侧墙技术．并将其在PCRAM中的应用成果进行了分类；然后从加热电极的制备、相变材料限制结构的制备、新相变材料的制备与表征和器件间互联等4个方面展开叙述；最后展望了该技术在相变存储领域应用发展的趋势。侧墙技术因其具备自对准的特点，制备工艺可控性好，制备精度不依赖于光刻精度，在纳米技术飞速发展的今天，侧墙技术将会在更高精度上发挥其作用。关键词：侧墙；相变存储器(PCRAM)；纳米技术；Ge2Sh2Te5；微纳加工 ofthe inthePCRAM ApplicationSpacerTechnology Fu Xiaona， Yingchun，Wang Xiaofeng，ZhangJiayong，Xu Ma Fuhua Huili，Ji An，Yang ResearchCenterSemiconductor (Engineering for IntegratedTechnology， Institute o，Semiconductors，Chinese 100083，China) AcademyofSciences．BeOing tOthebasicstructureand ofthe randomac— Abstract：According workingprinciplephasechange eess technical solution and memory(PCRAM)，theadvantageschallenges。common strategies relativelimitsofthe introduced PCRAMare isdescribed，it firstly．Then，thespacertechnology isthe whichis usedinmicroelectronics the ofthe keyprocess fabrication，and widely applications PCRAM fabrica