碳陶复合材料中C和SiC的氧化性能.pdfVIP

‘炭素工艺与设备》第9卷，2002年，兰州第61～66页 碳陶复合材料中C和SiC的氧化性能 蒋文忠 (湖南大学材料学院) 摘要； 反应性能和机理。 t S1C／C、C／C复合材料是一种较好的高温结构村料“J，且slc基复合材料比碳～碳复合 材料更具有一种潜在的抗氧化性能，因为SIC的氧化导致形成StO：保护薄膜。 化，井在每一条纤维周围形成环形槽，气孔周围的SiC(基体或SIC纤维)被氧化成CO。和 SlO：。StC转化成为sIo：导致材料体积膨胀，可使环形槽宽度变窄，还有自动加热现象，而 且初始氧化速度变慢，内层碳的消耗量减少，氧化压力也下降。 1实验材料 研究用的复合材料是由炭层分开的碳化硅基纤维加强的碳化硅基体，这种纤维状压 片(占复合材料体积的40％)，是在二维方向上 编织的，碳化硅基纤维的母体是聚碳酰硅烷 (PCS)。又称为尼龙(NML202)，这种纤维不仅 包含碳化硅，而且包含碳硅氧化合物和自由 碳o]，纤维的平均尺寸为“¨m。ex—pcs纤维首 先是由化学气体渗透过程(CVD被覆盖一层由n，Lm{ 甲烷(CH．)裂解的一层薄薄的热解炭，平均厚 多买 度为0．1zpm，炭中间层约占试样重量的1％。压 季忠爹 无意j鲁量盈 片样品接着由CVI用CH。slcl。和H：混合物覆盖 一层SiC。实验用的SlC／C／StC试样为平行六面 舀lStC／C／S1C构成示意图 体，长2cm，宽1cm，厚为0．3cm，试样的侧面不 覆盖碳化硅’如图1所示。 2碳和碳化硅的反应性能 析知，主要是氧气的消耗和CO：的生成。通过分析，co涞源于试样中C层的氧化(尼龙中的 一6l一 热解C和自由碳)和SiC及氧硅化合物的氧化．其反应如下 (1) Co)中目簋虾墟)+02(1)—-C0z‘．) (2) SIC(。)(圩生基捧)+202(。)—}S102。)+CO?q) (3) StOxCy《．，聃+(1+y—O·5x)02(。广S102∞+yC02(1) 验条件下，没有检测到CO的生成。 在氧化过程中，生成SIO。消耗的氧气数可以由氧气平衡推导出来，在反应中，存在的 气体有如下关系 (4) N(02)o=N(02)+N(02)r+N(C02) 式中t N(02)o一输入装置的O。数； N(Ot)一在t时间内未反应的氧气数} N(Oz)r一在t时间内，与SIC和SiOxCy生成的$102的氧气数l N(co：)一在氧化过程中，在t时间内由(1)、(2)、(3)式反应生成的CO。数。 在时间t内，所有的被消耗氧气N(o：)c为 5) N(O：)c=N(02)o—N(02) 因此，与SIC反应生成SiO。消耗的。薅于 (6) N(02)r—N(02)c—N(c