磁控溅射低温制备ZnOAl透明导电薄膜及其特性研究.pdfVIP

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2017-11-06 发布于湖北
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磁控溅射低温制备ZnOAl透明导电薄膜及其特性研究.pdf

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磁控溅射低温制备ZnO：AI透明导电薄膜及其特性研究王涛o① 刁训刚① 丁茺① 舒远杰② 武哲@ (①北京航空航天大学理学院，北京100083；②中国工程物理研究院化工材料研究所，四川，绵阳621900；③北京航空航天大学航空科学与技术学院，北京100083) 摘要：采用锌铝(2％)合金靶，保持真空腔在50℃低温下，运用直流反应磁控微镜(SEM)、分光光度计、半导体霍尔测试、红外发射率测试仪等手段对薄膜进行了表征。薄膜呈C轴择优取向的六角纤锌矿结构；具有致密平滑的表面形貌； 8～最佳工艺下样品在550nto波长处透过率达93％；最低电阻率为4．99×10_4Q·cml 149m波段平均红外发射率在0．3～O．54之间。分析了溅射过程中氧流量百分比和功率对上述特性的影响及各特性间的关系，讨论了薄膜在8～149m波段平均红外发射率与其方块电阻的关系。关键词：ZAO膜；低温；磁控溅射；红外发射 and of ConductiveZnO：AIFilms PreparationPropertiesTransparent DC atLowSubstrate by MagnetronSputtering Temperature Taoo①Diao Shu ieoWuZheo Wang Xungang①DingPeng① Yuanj of of (①SchoolScience，BeijingUniversity 100083； ofChemical ofAeronautic ②Institute 621900；③School Materials，CAEP，Mianyang，Sichuan Science of and 100083) Technology，BeijingUniversity zinc were oxide(ZnO：A1)films Abstract：Aluminium-doped preparedby D．C．reactive on substratefroma magnetronsputteringglass alloytarget(Zn：Al 2％)．The chamberwas at50。C．The mor— sputtering kept crystallinity，surface andelectrical andinfrared in ofthe phology．opticalproperties emissivity 8～14pm films werecharacterized