氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 4 (2013) 047201 氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究* 1 1 2† 12 2 韦晓莹 胡明 张楷亮 王芳 刘凯 1) ( 天津大学电子信息工程学院, 天津 300072 ) 2) ( 天津理工大学电子信息工程学院, 天津市薄膜电子与通信器件重点实验室, 天津 300384 ) ( 2012年8月23 日收到; 2012年9月17 日收到修改稿) 采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO /Si 基底上制备了氧化钒薄膜. X- 射线衍射、X 射线光电子能谱分 2 析仪及原子力显微镜结果表明, 室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V O (101) 和V O (110) 峰外, 没有明显的结晶 2 5 2 3 取向, 是VO , V O , V O 及VO 的混合相薄膜, 且薄膜表面颗粒大小均匀, 表面均方根粗糙度约为1 nm. 采用半导 2 2 5 2 3 体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试. 结果表明薄膜具有较低的开关电压(V 1 V, V −05 V), 并且 Set Reset 具有稳定的可逆开关特性 薄膜从低阻态转变为高阻态的电流 I 随限流的增大而增大 通过高低阻态时 - 对 . ( Reset ) . I V 数曲线的拟合(高阻态斜率 1, 低阻态斜率 1), 认为Cu 离子在薄膜中扩散形成的导电细丝是该体系发生电阻转 变的主要机制. 关键词: 氧化钒薄膜, 电阻开关, 电阻式非挥发存储器, 导电细丝 PACS: 72.20.−i, 68.35.bg, 71.30.+h, 77.80.Fm DOI: 10.7498/aps.62.047201 工艺兼容, 可以更好地将其应用于RRAM 非挥发 1 引言 45 存储器, 因此引起研究人员的广泛关注 . 目前 研究较多的二元金属氧化物有HfO2 67 , CuOx 8 , 随着半导体存储技术的快速发展以及22 nm WOx 9 , ZrO2 10 , SiOx 11 , TiO2 1213 等, 并且均取 技术节点的到来, 传统的flash 非易失存储器遇到 得了一定进展. 但是哪种材料体系能够成为RRAM 一系列问题: 1) 尺寸的进一步缩小限制了flash 的 最后所选 目前未有定论 发展; 2) 随着隧穿