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薄膜的制备及外场下电畴翻转
2016 29 10
年第 卷第 期
·
光电 材料
ElectronicSci&Tech/Oct15,2016
doi:1016180/jcnkiissn1007-7820201610039
薄膜的制备及外场下电畴翻转
, , , , ,
苏 敏 袁 琪 王 伟 詹 科 王现英 祝元坤
( , 200093)
上海理工大学 材料科学与工程学院 上海
Pt/Ti/SiO/Si 085(Bi Na )TiO010(K Bi )TiO
摘 要 采用金属有机物热分解法在 2 基底上制备了 05 05 3 05 05 3
005BaTiO(85BNT10KBT5BT) 。 X 、 (SEM)、 (PFM)
3 薄膜 通过 射线衍射仪 扫描探针显微镜 压电力显微镜 等对薄膜的结
。 , ,
构和外场下的电畴演变进行了表征及研究 结果表明 该薄膜微观结构主要由钙钛矿相和少量的焦绿石相组成 表面无
, d =150pm/V; PFM , 180° ,
明显裂纹和孔洞 其最大压电系数 33 通过 观察到在电场作用下 其电畴可实现 翻转 在力场作用
90° , 。 MEMS
下其电畴可实现 翻转 并结合微观结构对电畴在外场下的演变机理进行了研究 该研究为铁电薄膜在 中的应
用提供了参考。
85BNT10KBT5BT ; ;PFM; ;
关键词 薄膜 金属有机物热分解法 电畴翻转 压电性能
中图分类号 TN384;TM223 文献标识码 A 文章编号 1007-7820(2016)10-136-05
PreparationandDomainSwitchingUndertheExternalFieldof
BNTKBTBTThinFilms
SUMin,YUANQi,WANGWei,ZHANKe,WANGXianying,ZHUYuankun
(SchoolofMaterialsScienceandEngineering,UniversityofShanghaiforScience&Technology,
Shanghai200093,China)
Abstract 0.85(BiNa )TiO0.10(BiK )TiO0.05BaTiO,(85BNT10BKT5BT)thinfilmswere
0.5
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