巨磁电阻效应及应用设计性物理试验的研究.pdfVIP

第27卷第11期 大 学 物 理 V01．27 NO．11 2008年11月 COLLEGE PHYSICS NOV．2008 巨磁电阻效应及应用设计性物理实验的研究 张 欣 ，陆申龙 ，时 晨 (1．上海应用技术学院数理教学部，上海 200235；2．复旦大学物理系，上海 200433；3．复旦天欣科教仪器公司，上海 200433) 摘要：测量巨磁电阻阻值与磁感应强度的关系，研究巨磁电阻效应特性，介绍巨磁电阻效应的物理原理、实验方法及应 用，该近代物理学的研究成果，可作为大学物理实验教学内容． 关键词：自旋电子学；巨磁电阻效应；物理实验 中圈分类号：O 472 ．6； O 4—33 文献标识码：A 文章编号：1000—0712(2008)11—0001．04 1988年法国巴黎大学阿尔贝 ·费尔，在纳米 1 原理 级的Fe／Cr多层膜中，首次发现巨磁电阻效应，即 在加磁场和不加磁场时，电阻率的变化比人们熟 1．1 正常磁电阻与巨磁电阻 知的坡莫合金磁电阻大一个数量级；几乎同时，德 磁电阻即磁致电阻指的是外磁场导致的电阻的 国人彼得 ·格林贝尔也在开展相同的研究，并在 变化，一般可采用外加磁场为零时作参考点，定义磁 撰写论文前申请了专利，这一重大研究成果引起 电阻的相对变化率为MR (曰)一R(0)]／R(0)， 全世界的轰动¨ ．此后，2O世纪90年代，美国IBM 这里R(B)和R(0)分别为外加磁感应强度为B= 公司成功地将它应用于高密度读写磁头，并将磁 。日时的电阻和磁场B=0时的电阻．其中 为真 盘体积缩小而记录密度提高了几十倍，从此巨磁 空磁导率，日为磁场强度．普通非磁金属的磁致电 电阻的研究及应用取得了突飞猛进的进展．阿尔 阻称正常磁电阻，它的特点是：当磁场强度增大时， 贝·费尔和彼得 ·格林贝尔由于发现巨磁电阻效 有正的磁电阻相对变化率(MR0)，而且磁电阻相 应而获得2007年度诺贝尔物理学奖． 对变化率很小(MR0．1％)．正的磁电阻相对变化 近20年来，凝聚态物理和材料科学研究中的 率源于载流子在运动中受到磁场导致的洛伦兹力， 一 个重要领域——纳米结构及其应用有了很大突 偏离原来的运动轨迹，引起附加的散射效应． 破，其中一个有重大影响力的成果是巨磁电阻效 巨磁电阻的基本特征与普通金属的恰好相反， 应的发现及其自旋器件的应用，由此导致一门研 它们分别是：具有负的磁电阻相对变化率(MR 究纳米尺度下与电子自旋属性相关的输运过程及 0)；磁电阻相对变化率很大(MR≥10％)．巨磁电阻 相应器件的新学科诞生，这就是磁电子学，或称为 的机理与磁场导致的洛伦兹力无关．为了使负的磁 自旋电子学 ．在磁电子学中，电子不仅仅被视为 电阻变化率定义为一个正的物理量，对于巨磁电阻 电荷的载体，而且还是具有自旋的个体，极化后的 的变化率有二种定义表达方法 ；这两种定义在科 电子有自旋向上和自旋向下两种状态，因此极化 技论文中常用： 电流也有自旋向上和自旋向下的两种散射形 MR =[R(O)一R(B )]／R(0) (1) 式 ．这一新理论，极大丰富了微电子学的研究内 MR：=[R(0)一R(B )]／R(B ) (2) 容．为了向教师和学生提供了