远程等离子体辅助原子层沉积技术制备hfo2薄膜及hfo2_ge界面性质.pdfVIP

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2017-11-15 发布于天津
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远程等离子体辅助原子层沉积技术制备hfo2薄膜及hfo2_ge界面性质.pdf

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远程等离子体辅助原子层沉积技术制备hfo2薄膜及hfo2_ge界面性质

学校编码：10384 分类号密级学号：19820131152988 UDC 硕士学位论文库要远程等离子体辅助原子层沉积技术制备HfO2 薄膜及 HfO /Ge 界面性质研究 2 摘 Growth of HfO thin film by Remote Plasma Atomic Layer 2 文 Deposition and the properties of HfO /Ge interface 论2 士池晓伟硕指导教师姓名：李成教授博专业名称：电子与通信工程论文提交日期： 2016 年月学大论文答辩时间： 2016 年月门学位授予日期： 2016 年月厦答辩委员会主席：评阅人： 2016 年月厦门大学学位论文原创性声明本人呈交的学位论文是本人在导师指导下,独立完成的研究成果。本人在论文写作中参考其他个人或集体已经发表的研究成果，均在文中以适当方式明确标明，并符合法律规范和《厦门大学研究生学术活动规范（试行）》。库另外，该学位论文为（）课题（组）要的研究成果，获得（）课题（组）经费或实验室的摘资助，在（）实验室完成。（请在以上括号内填写课文题或课题组负责人或实验室名称，未有此项声明内容的，可以不作特论别声明。）士硕博声明人（签名）：学年月日大门厦 2