用无痕迹存储器和硬件AES保证关键数据安全.pdfVIP

Frontier l技术前沿l Technology 1|J 压A■■■■-Ll 1J无拇痕保 迹证一存关 储键 器数和据 硬安 件全 一陟自 lMaxim Joshi I|Swati Integrated 所有类型终端设备的安全要求与日俱增， 全)系统中所储存数据物理不可见的许多方法 这种趋势结合软件病毒的风险，导致硬件安全的 具有各种用于储存密钥、算法或身份信息的机 使用日益普及。因此，设计者面临许多当前及下 制。具体到特定的器件应用，保护所存储信息 一代系统中的安全问题，包括如何保证加密数据 不被错误或非法存取是一项关键的系统要求。 安全以及保护密钥。对于任何有效的安全方案， 许多此类器件可主动检测面临的攻击(例如非法 均必须采用物理防篡改措施，因为即使最高级的 用户试图访问储存在存储器中的信息时)。检测 到此类攻击时，有必要将储存在存储器中的全部 现场可编程门阵列(FPGA)、智能卡及其它安 全元件都容易受到特定攻击手段的破坏。 机密和敏感数据擦除。为将存取该信息的风险降 这种威胁要求在系统关断时维持部分电路 至最低，如果不能避免的话，必须由器件本身将 正常工作，以检测试图获取关键信息的潜在攻 存储器内容快速、可靠地擦除。遗憾的是，实现 击。为实现这一目的，安全器件的功耗必须较 这些目标必需的功能可能成本很高且非常复杂。 低，并能连接检测威胁的多种传感器。这些器件 许多存储器单元设计和技术，例如传统的静 还需要在包含敏感内容的电路周围形成一个安全 态随机存取存储器(SRAM)，普遍容易受“数 边界。此外，如果安全元件能够保护密钥以及保 据痕迹”的影响，这是指存储器支持长期储存数 证加密数据安全，则能够为系统提供更高级别 据的能力。使用SRAM时，这种储存数据的方法 的保护，有利于设计者解决目前面临的问题。 与存储器单元晶体管的栅极氧化层在工作期间所 承受的应力有关。产生这种应力的原因是因为存 MAX36025防篡改加密节点控制器处理此类事件 储器单元长期存在恒定偏压，再加上存储器单元 的方式是将密钥储存在拥有专利的无痕迹存储器 的配置是储存特定逻辑值的数据。这种应力会造 (1KB)中，通过监测物理篡改保护密钥，在两 成栅极氧化层电荷积累，随着时间推移，会发展 个硬件高级加密标准(AES)引擎中对数据进行 到影响存储器单元的上电状态，或者留下足够的 加密和解密。 数据痕迹，利用高级光谱分析方法可无源检测到 这些现象。如此这般，通过应力引起的氧化层电 无痕迹存储器的重要性