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PECVD淀积氮化硅薄膜性质探究摘要：随着社会的发展与进步，重视PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究对于现实生活中具有重要的意义。本文主要介绍PECVD淀积氮化硅薄膜性质研究的有关内容。 关键词氮化硅；沉积；薄膜；原理；性质；机理； 中图分类号：O613.72 文献标识码：A 文章编号： 引言 由于有着良好的绝缘性, 致密性, 稳定性和对杂质离子的掩蔽能力, 氮化硅薄膜作为一种高效器件表面的钝化层已被广泛应用在半导体工艺中。人们同时发现, 在多晶硅太阳电池表面生长高质量氮化硅薄膜不仅可以十分显著地提高多晶硅太阳电池的转换效率, 而且还可以降低生产成本。这是因为作为一种减反射膜, 氮化硅不仅有着极好的光学性能和化学性能, 还能对质量较差的硅片起到表面和体内钝化作用, 提高电池的短路电流。因此,采用氮化硅薄膜作为晶体硅太阳电池的减反射膜已经成为光伏界的研究热点。 一、PECVD法生产氮化硅膜的原理 PECVD法生长氮化硅薄膜是利用非平衡等离子体的一个重要特性，即等离子体分子、原子、离子或激活基团与周围环境相同，而其中非平衡电子则由于电子质量很小，其平均温度可以比其他粒子大1一2个数量级，因此在通常条件下，要在高温才能实现的许多化学反应，由于非平衡电子具有很高的能量，在低温下就能实现。在太阳电池镀膜时，工艺腔中的NH{和Si氏分子在高频微波源的作用下热运动加剧，相互碰撞使其分子电离，这些离子反应生成SiNx。 总反应式: 二、氮化硅的作用与钝化机理 在硅片表面(扩散面)沉积一层深蓝色的S1Nx膜，而这层SiNx膜的作用是: 1)减少电池表面光的反射; 2)进行表面及体钝化，减少电池的反向漏电流; 3)具有良好的抗氧化和绝缘性能同时具有良好的阻挡钠离子、阻挡金属和水蒸气扩散的能力。 氮化硅的钝化主要是氢钝化，PECVD沉积氮化硅薄膜钝化太阳电池的作用从原理看实际上是薄膜中富含的氢对衬底硅中杂质和缺陷的钝化。氢在硅中的存在形式主要取决于温度、掺杂类型与浓度、氢的浓度、缺陷状况等，在低温时，氢在硅中常以3种状态存在:①在缺陷位置上被悬挂束缚，形成多重性的Si-H键，这种状态的氢原子具有最低的势能;②在没有缺陷的位置上以稳定氢分子HZ的形式存在，在平衡条件下氢分子占据硅四面体的中心位置，此时它的电学与光学性质都不活泼，低温时也不易移动;③氢在硅中最重要的形态是原子氢。氢原子占据所谓的金属位，对未被束缚的氢来说，这是能量最低的方式。在室温时，一般情况下氢不能以单独的氢原子或氢离子存在，它总是以复合体的形式存在于硅中。少量的氢就能和硅中的缺陷和杂质作用，形成一些复合体，由于这些复合体大多是电中性，所以硅中的氢可以钝化杂质和缺陷的电活性。它不仅能钝化晶体的表面或界面，还可以和金属杂质结合，去除或改变杂质形成的较深能级。此外，氢还能和位错上的悬挂键结合，达到去除位错电活性的目的;氢也能和空位作用，形成一种VHn复合体;氢还能钝化由氧化而引人的点缺陷，改善器件性能。 三、实验 实验采用156*156的多晶P型硅片, 生长设备采用ROTH@RAU的SINA设备。实验前使用乙醇和丙酮超声清洗样品 15min 以去除油污, 然后用 1 号液( H2O:H2O2: NH3·H2O= 1: 1: 5) 和 2 号液( H2O: H2O2:HCl= 1: 1: 5) 清洗, 最后再使用 5% 稀氢氟酸( HF ) 漂洗 5min 以去除氧化层, 去离子水洗净烘干后放入反应室。反应气体为以氮气稀释至 10% 的硅烷和高纯氨气, 气体流量为硅烷560sccm, 氨气2240sccm。实验参数为: 工作气压 0.27mbar, 射频频率13156MHz, 淀积时间 10min。 样品生长完毕后进行了测试, 使用 SENTECHCH厂家的SE-400ADV测试薄膜的厚度, 折射率和反射光谱;使用 SEM 和 AFM 观察薄膜截面和表面形貌; 使用 EDX 和 FTIR 观察薄膜的成分和化学性质; 使用Hall 参数测试仪分析薄膜沉积前后载流子浓度的变化。 四、结果和讨论 4.1 氮化硅薄膜的光学性质 本实验所生长的氮化硅薄膜表面颜色较均匀,82nm 厚的样品( 1# ) 用肉眼观察呈深蓝色, 折射率为 2.13。其光学厚度为 n ×d= 82×2113= 174166nm, 由此可知吸收最强烈的光波长应为174166×4= 698164nm。地面太阳光谱能量的峰值在波长 500nm, 而硅太阳电池的相对响应峰值在波长 800~ 900nm, 故要求减反射膜对500~ 900nm 的光有最佳减反射效果。图 1 为 1#样品的反射光谱, 由图上可看出, 此厚度的氮化