电气传动教学资料-电力电子半导体器件（IGBT）.pptVIP

第七章 绝缘栅双极晶体管 （IGBT) §7.1 原理与特性 §7.2 门极驱动 §7.3 IGBT的保护 §7.4 应用实例 第八章 新型电力半导体器件 2．过电流的识别： 采用漏极电压的识别方法，通过导通压降判断漏极电流大小。进而切断门极控制信号。 注意：识别时间和动作时间应小于IGBT允许的短路过电流时间（几个us），同时判断短路的真与假，常用方法是利用降低门极电压使IGBT承受短路能力增加，保护电路动作时间延长来处理。 3．保护时缓关断： 由于IGBT过电流时电流幅值很大，加之IGBT关断速度快。如果按正常时的关断速度，就会造成Ldi/dt过大形成很高的尖峰电压，造成IGBT的锁定或二次击穿，极易损坏IGBT和设备中的其他元器件，因此有必要让IGBT在允许的短路时间内采取措施使IGBT进行“慢速关断”。 采用电流互感器和霍尔元件进行过流检测及过流保护： 三、缓冲电路 利用缓冲电路抑制过电压，减小dv/dt。 50A 200A 200A 缓冲电路参数估算： 缓冲电容： L——主回路杂散电感（与配线长度有关） I0——关断时漏极电流 VCEP——缓冲电容上电压稳态值（有安全区确定） Ed——直流电源电压 缓冲电阻：在关断信号到来前，将缓冲电容上电荷放净 f ：开关频率 缓冲电阻功率： LS：缓冲电路电感 一、静音式变频调速系统 * * 一、概述 IGBT—— Insulated Gate Bipolar Transistor 近年来出现了许多新型复合器件，它们将前述单极型和双极性器件的各自优点集于一身，扬长避短，使其特性更加优越，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大等优点，因而发展很快．应用很广，已成为当前电力半导体器件发展的重要方向。 其中尤以绝缘栅双极晶体管(1GBT)最为突出，在各个领域中有取代前述全控型器件的趋势。 IGBT（IGT），1982年研制，第一代于1985年生产，主要特点是低损耗，导通压降为3V，下降时间0.5us，耐压500—600V，电流25A。 第二代于1989年生产，有高速开关型和低通态压降型，容量为400A/500—1400V，工作频率达20KHZ。目前第三代正在发展，仍然分为两个方向，一是追求损耗更低和速度更高；另一方面是发展更大容量，采用平板压接工艺，容量达1000A，4500V；命名为IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor) 二 、工作原理： IGBT是在功率MOSFET的基础上发展起来的，两者结构十分类似，不同之处是IGBT多一个P+层发射极，可形成PN结J1，并由此引出漏极；门极和源极与MOSFET相类似。 1．分类： 按缓冲区有无分为： ①非对称型IGBT：有缓冲区N+，穿通型IGBT； 由于N+区存在，反向阻断能力弱，但正向压降低，关断时间短，关断时尾部电流小。 ②对称型IGBT：无缓冲区N+，非穿通型IGBT； 具有正、反向阻断能力，其他特性较非对称型IGBT差。 按沟道类型： ①N沟道IGBT ②P沟道IGBT 2．开通和关断原理： IGBT的开通和关断是由门极电压来控制的。门极施以正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。在门极上施以负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即为关断。 ①VDS为负时：J3结处于反偏状态，器件呈反向阻断状态。 ②VDS为正时：VGVT，沟道不能形成，器件呈正向阻断状态。 VGVT，绝缘门极下形成N沟道，由于载流子的相互作用， 在N-区产生电导调制，使器件正向导通。 ③关断时拖尾时间： 在器件导通之后，若将门极电压突然减至零，则沟道消失，通过沟道的电子电流为零，使漏极电流有所突降，但由于N-区中注入了大量的电子、空穴对，因而漏极电流不会马上为零，而出现一个拖尾时间。 ④锁定现象：由于IGBT结构中寄生着PNPN四层结构，存在着由于再生作用而将导通状态锁定起来的可能性，从而导致漏极电流失控，进而引起器件产生破坏性失效。出现锁定现象的条件就是晶闸管的触发导通条件： α1 +α2 =1 a. 静态锁定： IGBT在稳态电流导通时出现的锁定，此时漏极电压低，锁定发生在稳态电流密度超过某一数值时。 b. 动态锁定：动态锁定发生在开关过程中，在大电流、高电压的情况下、主要是因为在电流较大时引起α1和α2的增加，以及由过大的dv/dt引