电子束石版术中蒙地卡罗模拟程式之发展.PDFVIP

電子束石版術中蒙地卡羅模擬程式之發展 計畫編號： NSC89-2215-E009-096 執行期限：89/08/01～90 /07/31 主持人：郭雙發國立交通大學電子研究所教授 E-mail ：sfguo@cc.nctu.edu.tw 計畫參與人員：黃琪聰 、蔡銘仁 國立交通大學電子研究所 一 、中文摘要 而，這些元件的設計規則在進入 180 奈米的門檻以 後，光學石版術的解析能力卻面臨到光學繞射的物理 吾人利用蒙地卡羅方法發展出電子束石版術之模 極限，即使是採用 KrF激二體 (excimer)雷射 (248 奈 擬程式，其中電子和核子間的彈性碰撞係用拉塞福 米)石版術及光學石版術解析度增強技術 (RET)亦有其 公式決定，而其能量損失則用貝茲公式計算。我們 圖案安排上的限制。因此，電子束石版術 很有希望取 可穫得在光阻及基材中電子軌跡的三維空間分佈、 代光學石版術的地位，由於它具有較高的解析度、較 能量沉積的分佈，藉以了解電子束石版術的漸近效 深的焦距深度和無光罩的操作等潛能。 應。為了獲得適當的精確度，曝照欄框的蒙地卡羅 電子束石版術的終極解析度並非由電子光學系統 模擬通常需採樣大量的入射點和電子數，因而耗費 之解析度所限，它能夠趨近於 0.1 奈米，而是由阻 冗長的計算時間。為了避免此一缺失，本程式乃採 劑的解析度和隨後的製作程序所限，其重要的限制 取電子雲策略及迴旋積分 方法來縮短模擬時間。 是阻劑中的電子散射。順向散射是電子在貫穿阻劑 時的小角度非彈性散射，它具有較窄的分佈。背向 關鍵詞 : 蒙地卡羅模擬、電子束石版術、彈性碰撞、 散射是大角度彈性散射，主要發生在阻劑底下的基 電子雲、迴旋積分 方法 片，電子從基片背向散射進入阻劑中，產生一種背 景模糊的影像，降低了明確的對比，而其終極影響 是臨近效應。在電子束石版術中，圖案裡任何一點 Abstract: 的曝照都會被緊臨該點的欄 框之曝照所影響。為了 減小其效應，亟需發展精巧的計算方法以資調整各 A Monte Carlo simulation program for the electron-beam 種形狀的曝照劑量，其中應以蒙地卡羅模擬計算為 lithography has been developed. The screened Rutherford 最佳選擇。 equation for the differential scattering cross section and the Bethe equation for the energy loss between elastic 電子束多層多元素標靶中的滲透和散射，實際上 scatterings ar