纤锌矿GaN外延层薄膜热膨胀行为的变温Raman散射研究.PDF

纤锌矿GaN外延层薄膜热膨胀行为的变温Raman散射研究 王党会 许天旱 宋海洋 ThermalexpansionbehaviorsofepitaxialfilmforwurtziteGaNstudiedbyusingtemperature-dependent Ramanscattering WangDang-Hui XuTian-Han SongHai-Yang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,130702(2016) DOI: 10.7498/aps.65.130702 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.65.130702 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2016/V65/I13 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 基于分子束外延生长的1.05eVInGaAsP的超快光学特性研究 Studyonphotoluminescencepropertiesof1.05eVInGaAsP layers grown by molecularbeam epitaxy 物理学报.2015,64(17): 177802 /10.7498/aps.64.177802 InGaN/GaN多量子阱结构发光二极管发光机理转变的低频电流噪声表征 Research on emission transition mechanisms of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes usinglow-frequencycurrentnoise 物理学报.2015,64(5): 050701 /10.7498/aps.64.050701 表面态调控对GaN荧光光谱的影响 Effectsofcontrolledsurfacestatesonthephotoluminescence emission of GaN film 物理学报.2014,63(13): 137802 /10.7498/aps.63.137802 氮化镓基蓝光发光二极管伽马辐照的1/f噪声表征 1/fnoisecharacterizationgammairradiationofGaN-based blue light-emitting diode 物理学报.2013,62(14): 140703 /10.7498/aps.62.140703 氮化镓基发光二极管结构中粗化p型氮化镓层的新型生长方法 Anewgrowthmethodofroughedp-GaNinGaN-based light emitting diodes 物理学报.2011,60(9): 098107 /10.7498/aps.60.098107 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 13 (2016) 130702 纤锌矿GaN外延层薄膜热膨胀行为的变温 Raman散射研究 宋海洋 王党会 许天旱 (西安石油大学材料科学与工程学院, 西安 710065) ( 2016 年1 月22 日收到; 2016 年4 月1 日收到修改稿) 本文对纤锌矿结构GaN 外延层薄膜的热膨胀行为进行了研究, 结合热膨胀系数的物理意义与变温 Raman 散射时声子频移的变化规律, 研究了热膨胀系数与变温Raman 散射之间的关系. 结果表明: 通过测 量Raman 声子 (high), (TO) 和 (TO) 频移与温度之间的线性关系, 结合相应声子Gruneisen 参数的 涵义, 可对纤锌矿结构GaN 外延层薄膜在一定温度范围内的热膨胀系数进行测量. 本文提供了一种表征纤锌 矿结构GaN 外延层薄膜热膨胀行为的有效方法, 为进一步研究III 族氮化物外延层薄膜在生长过程中热膨胀 系数的匹配、降低外延层薄膜中的位错密度并提高发光二极管的发光效率提供了理论依据. 关键词: 外延层薄膜, 热膨胀系数, Gruneisen 参数, 变温Raman 散射 PACS: 07.50.Hp,