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高电流密度圆柱状电子光学系统设计.PDF
第卷第期 年月
５９ ３ ２０１０ ３ 物 理 学 报 Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．３，Ｍａｒｃｈ，２０１０
１０００３２９０／ ２０１０／ ５９ ０３ ／１ ７２１０５
（） ＡＣＴＡ ＰＨＹＳＩＣＡ ＳＩＮＩＣＡ ２０１０ Ｃｈｉｎ．Ｐｈｙｓ．Ｓｏｃ．
高电流密度圆柱状电子光学系统设计
孙富宇 吴振华张开春
（电子科技大学物理电子学院太赫兹研究中心，成都 ）
６１００５４
（２００９ 年５ 月３ 日收到；２００９ 年７ 月７ 日收到修改稿）
设计了高电流密度圆柱状电子枪，并分析了枪体参数对电子注品质的影响；运用径向力平衡理论计算了聚焦
磁场．三维模拟软件ＣＳＴ ＰＡＲＴＩＣＬＥ ＳＴＵＤＩＯ模拟显示，在枪体电极和空间电荷形成的静电场，以及聚焦磁场作用
下，电子呈角向先变速后匀速螺旋状运动，其旋转半径始终与出射阴极面时的半径相同，从而在枪区和互作用通道
内维持了注包络水平模拟结果与设计理论相符注平均电流密度达到 ２ ，层流性良好，填充因子 ，
． ． ２４４ Ａ／ ｃｍ ７６７％
流通率
１００％．
关键词：电子枪，聚焦磁场，电子光学系统，注包络
ＰＡＣＣ：４１８０，４１８０Ｄ
计不考虑聚焦磁场时，空间电荷效应及枪体电极．
引起的注内部径向电场（Ｅ ０）使电子注包络逐渐
１ 引 言 ≠
ｒ
扩张，电子将轰击通道内壁，磁场的作用便在于维
太赫兹辐射源的研制是太赫兹科研中面临的 持注包络形状． Ｂｅｍｉｓ 等提出了一种新的平衡注径
［—］
１ ３ ［］８
首要问题，已成为国际研究热点之一 ，基于真空 向力的理论：在电子枪总体设计完成后，借助三
电子学的太赫兹辐射源———扩展互作用振荡器 维模拟软件 获取沿注传播方向变化的
ＯＭＮＩＴＲＡＫ
ｅｘｔｅｎｄｅｄ ｉｎｔｅｒａｃｔｉｏｎ ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ ＥＩＯ ［４，５］ ０１ ０５
（ ， ） 在 — 径向电场值，再通过公式计算出平衡注径向力所需
ＴＨｚ频段相比同类器件具有高功率、重量轻、体积小 磁场值，在电子光学系统中加入该磁场，理论上便
等优势电子科技大学太赫兹研究中心在国内率先． Ｅ ０
可完全抵消 引起的注横向脉动，使电子注包
≠
ｒ
开展了ＥＩＯ实际器件的研制，ＥＩＯ 需要的高品质
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