原子层沉积工艺制备催化薄膜厚度对生长碳纳米管阵列-无机材料学报.pdfVIP

第31 卷 第7 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 31 No. 7 2016 年7 月 Journal of Inorganic Materials Jul., 2016 文章编号: 1000-324X(2016)07-0681-06 DOI: 10.15541/ji 原子层沉积工艺制备催化薄膜厚度对生长碳纳米管阵列的影响 杨 超, 李 莹, 闫 璐, 曹韫真 ( 中国科学院 上海硅酸盐研究所, 特种无机涂层重点实验室, 上海200050) 摘 要: 通过原子层沉积(ALD)工艺在硅基底依次沉积氧化铝缓冲层薄膜和氧化铁催化薄膜, 然后利用管式炉进行 水辅助化学气相沉积(WACVD)生长垂直碳纳米管阵列(VACNTs) 。结果表明: ALD 工艺制备的氧化铁薄膜经还原气 氛热处理可形成碳纳米管阵列生长所需的纳米催化颗粒; 氧化铁薄膜厚度与纳米催化颗粒大小以及生长出的碳纳 米管阵列的结构密切相关。当氧化铁薄膜厚度为1.2 nm 时, 生长出的碳纳米管阵列管外径约为10 nm, 管壁层数约 为5 层, 阵列高度约为400 m 。增大氧化铁薄膜的厚度, 生长出的碳纳米管阵列外径和管壁数增加, 阵列高度降低。 实验还在硅基底侧面观察到了VACNTs, 表明ALD 工艺可在三维结构上制备催化薄膜用于生长VACNTs 。 关 键 词: 原子层沉积; 氧化铁; 水辅助化学气相沉积; 垂直碳纳米管阵列; 结构可控; 三维样品 中图分类号: TQ174 文献标识码: A Influence of Catalyst Film Thickness Deposited by Atomic Layer Deposition on Growth of Aligned Carbon Nanotubes YANG Chao, LI Ying, YAN Lu, CAO Yun-Zhen (Key Laboratory of Inorganic Coating Materials, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) Abstract: Al O buffer layer and Fe O catalyst film were deposited on Si wafer successively by atomic layer depo- 2 3 2 3 sition (ALD). The coated Si wafer was used to grow vertically aligned carbon nanotubes (VACNTs) by wa- ter-assisted chemical vapor deposition (WACVD). Results show that catalytically active nanoparticles form