高曝光深度的表面等离激元光刻直写头设计分析.pdfVIP

第 42巷第 l2期 红外与激光工程 2013年 12月 V01．42 NO．12 InfraredandLaserEngineering Dec．2013 — — — — 高曝光深度的表面等离激元光刻直写头设计分析 孙旭 飞 ，-，岳 阳 ，杜惊雷 ，张志友 (1．四川大学 物理科学与技术学院，四川 成都 610064；2．北京大学 物理学院，北京 100871) 摘 要 ：设计 了一种新的具有高曝光深度的纳米光刻直写头，它由用薄银层制得的v型孔 、匹配液 和有机 固化层组成。V型孔被用来聚焦入射光束于200nm 的光斑 中。直写头通过匹配液在光刻胶上 移动，而匹配液与石英基底相结合 ，构成 了表面等离激元 (sPP)谐振腔 ，由传播波及反射波形成的驻波 的传播深度将达到几百纳米 。模拟证明 了新的直写头可通过 F—P效应及 SPP多次激发增强方式 实现 在光刻胶 中深度曝光 ，当直写头与光刻胶的间距大于90nm 时，不仅可避免光刻胶和直写头的相对 磨损 ，也有助于降低机械移动工艺的要求，因此在纳米掩模板和纳米光子器件的制备上有较高实际应 用 的可 能性 。 关键词 ：SPP直写光刻； 直写头； SPP谐振腔 中图分类号 ：0439 文献标志码：A 文章编号 ：1007—2276(2013)12—3254—05 Design andanalysisofsurfaceplasmon lithography direct-writing head forhigh exposuredepth SunXufei一，YueYang，Du Jinglei，ZhangZhiyou (1．SchoolofPhysicalScienceandTechnology，SichuanUniversity，Chengdu610064，China 2．SchoolofPhysics，PekingUniversity，Beijing100871，China) Abstract：A new directwritingdevicewasdesigned．ItconsistedofaV-shaped hole made byAg，the matching fluid and hteorganic layerforhigh exposure depht．200nm lightspotswere obtained by V— shaped hole which ofcued the incidentlight beams．Direct—writing head moved onto hte photoresist through hte matching fluid，and the matching fluid combined wiht hte quartz substrate constructed a surfaceplasmonpolariton (SPP)couplingcavity，whichamplifiedhteintensityofthelightfieldinitby SPPeffectandresonance．Thetrna smission depht ofhtestnadingwaveformed by forward and reflected lightreached hundredsofnnaometers．Simulation resultss