用激光分子束外延在Si衬底上外延生长高质量的TiN薄膜-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ % %##$ % ， ， ， 7Y@ .’ -Y .% UBG9N?9E %##$ （ ） ###)%R#6%##$6’ #% 6 %)(#’ QT,Q VXO*;TQ *;-;TQ #%##$ TA+3 . VAEF . *Y5 . 用激光分子束外延在 衬底上外延生长 ! 高质量的#$ 薄膜! ! 何 萌 刘国珍 仇 杰 邢 杰 吕惠宾 （中国科学院物理研究所，北京凝聚态物理国家实验室，北京 ###$# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %## ’ ( %## ( ) 采用激光分子束外延技术，利用两步法，在 单晶衬底上成功地外延生长出 薄膜材料 原子力显微镜分析 *+ ,+- . 结果显示， 薄膜材料表面光滑，在 范围内，均方根粗糙度为 霍耳效应测量结果显示， ,+- # / 0 # / # 1$2% 3/ . ! ! 薄膜在室温条件下的电阻率为 4 ’ · ，迁移率达到 % ·，表明 薄膜材料是一种优良的电 ,+- ) 1( 0 # 5/ ’$) 1# 5/ 67 * ,+- 极材料 射线 — 扫描结果和很高的迁移率均表明，高质量的 薄膜材料被外延在 衬底上 进一步在 . 8 ! %! ,+- *+ . ,+-6 *+ 衬底上外延生长 薄膜的结果表明，在 上外延的 薄膜不仅具有很好的热稳定性，而且可以作为缓冲 *9,+: *+ ,+- ) 层或底电极外延生长其他的薄膜材料及多层结构. 关键词：激光分子束外延， 单晶薄膜，外延生长 ,+- ： ， ， %’’ $’; ($’’ )(# 解决. 1 引 言 ,+- 是一种具有良好导电特性的的材料，优质 的 薄膜在室温条件下的电阻率可以达到每厘米 ,+-