非线性电子电路标准实验报告.docVIP

《 非 线 性 电 子 电 路 》 标 准 实 验 报 告 王宝忠 编写 适用专业： 通信工程 电子信息工程 电子信息科学与技术 其他电类专业 江苏科技大学 电工电子实验中心 2007年7月 目 录 实验一 高频小信号调谐放大器 2 实验二 二极管开关混频器实验 12 实验三 高频谐振功率放大器 20 实验四 正弦振荡实验 32 实验五 集电极调幅与大信号检波 42 实验六 变容二极管调频 51 实验七 集成电路模拟乘法器的应用 61 实验八 模拟锁相环应用实验 78 实验九 小功率调频发射机设计 87 实验十 调频接收机设计 92 实验一 高频小信号调谐放大器 一、实验目的 小信号调谐放大器是高频电子线路中的基本单元电路，主要用于高频小信号或微弱信号的线性放大。在本实验中，通过对谐振回路的调试，对放大器处于谐振时各项技术指标的测试（电压放大倍数，通频带，矩形系数），进一步掌握高频小信号调谐放大器的工作原理。学会小信号调谐放大器的设计方法。 二、实验内容 调节谐振回路使谐振放大器谐振在10.7MHz。 测量谐振放大器的电压增益。 测量谐振放大器的通频带。 判断谐振放大器选择性的优劣。 三、实验原理 1、原理 图1-1所示电路为共发射极接法的晶体管高频小信号调谐放大器。它不仅要放大高频信号，而且还要有一定的选频作用，因此晶体管的集电极负载为LC并联谐振回路。在高频情况下，晶体管本身的极间电容及连接导线的分布参数等会影响放大器输出信号的频率和相位。晶体管的静态工作点由电阻RB1，RB2及RE决定，其计算方法与低频单管放大器相同。 图1-1 小信号调谐放大器 放大器在高频情况下的等效电路如图1-2所示，晶体管的4个y参数yie，yoe，yfe及yre分别为 输入导纳 （1-1） 输出导纳 （1-2） 正向传输导纳 （1-3） 反向传输导纳 （1-4） 图1-2 放大器的高频等效回路 式中，gm——晶体管的跨导，与发射极电流的关系为 （1-5） gb’e——发射结电导，与晶体管的电流放大系数β及IE有关， 其关系为 （1-6） rb’b——基极体电阻，一般为几十欧姆； Cb’c——集电极电容，一般为几皮法； Cb’e——发射结电容，一般为几十皮法至几百皮法。 由此可见，晶体管在高频情况下的分布参数除了与静态工作电流IE，电流放大系数β有关外，还与工作频率ω有关。晶体管手册中给出的分布参数一般是在测试条件一定的情况下测得的。如在f0=30MHz，IE=2mA，UCE=8V条件下测得3DG6C的y参数为： 如果工作条件发生变化，上述参数则有所变动。因此，高频电路的设计计算一般采用工程估算的方法。 图1-2中所示的等效电路中，p1为晶体管的集电极接入系数，即 （1-7） 式中，N2为电感L线圈的总匝数。 P2为输出变压器T的副边与原边的匝数比，即 （1-8） 式中，N3为副边（次级）的总匝数。 gL为调谐放大器输出负载的电导，gL=1/RL。通常小信号调谐放大器的下一级仍为晶体管调谐放大器，则gL将是下一级晶体管的输入导纳gie2。 由图1-2可见，并联谐振回路的总电导的表达式为 （1-9） 式中，G为LC回路本身的损耗电导。谐振时L和C的并联回路呈纯阻，其阻值等于1/G，并联谐振电抗为无限大，则jwC与1/（jwL）的影响可以忽略