半导体光学14一级拉曼散射3次虚电子跃迁.ppt

* ③一级拉曼散射3次虚电子跃迁 ●入射光子吸收，产生e-h对； ●光学声子产生(或吸收),电子,空穴跃迁到不同态上； ● e-h对复合,散射光子发射. ④拉曼过程：涉及光学声子； 布里渊过程：涉及声学声子. ⑤实验配置 ⑥线性拉曼过程与受激拉曼过程 线性拉曼过程： (入射光)； 受激拉曼过程：入射光强度超过某一定 值时, 剧增（ 倍）. ⑦强耦合下, 拉曼散射是激子极化激元（激子与光子的耦合）与声子极化激元之间散射. ●声子极化激元 ●激子极化激元 光子与激子发生强烈耦合,产生激子极化激元. 传播方式： UPB近乎全同于光子；LPB近 乎全同于激子. LPB近乎全同于光子. ▲比较耦合振子系统 光子与激子耦合可以用耦合振子系统 与光相互作用描述. 2. 拉曼散射 ①背向散射 ●散射光子与声子状态的确定 光学声子能量较大,位于LO支和LPB的类声子支（TO）,相应波矢： ●散射光强分布 ▲参与声子数越多, 散射光强越弱. ▲LO过程的散射光频移比TO过程的散射光频移要大. ②前向散射 可以直接测量声子极化激元色散. 3. 布里渊散射 ①背向散射 ●声学声子能量 声学声子与类光子激子极化激元耦合更弱,因此需要高分辨光谱探测技术. ●在声学声子线性部分（远离激中共振区）, 根据上式可以确定折射率 或声速 ②超晶格 ●理论 ●实验(1980,PRL) ▲拉曼谱中散射双峰是色散折叠曲线中圆 点所指的LA声子(A,B)散射产生. ▲纵模声学声子与光子散射. (限于在本实验中几何尺度,横模声学声子散射不存在.) 13.4 表面声子极化激元 1.色散 2.实验 反射率R下降意味着表面声子极化激元产 生 受抑全反射 实验结果： 13.5局域声子模 1.色散 2.实验 ●GaAs中掺入Si，Si取代Ga（作为施 主）,记为 ；Si取代As（作为受主）, 记为 ●掺入Li补偿自由载流子浓度（Si作为受主与施主不平衡）. ●吸收谱 *