多晶硅薄膜制备工艺和其应用发展.doc

多晶硅薄膜制备工艺和其应用发展 　　摘 要：多晶硅薄膜在一些半导体器件及集成电路中得到了广泛的应用。由于多晶硅生产成本低，效率稳定性好、光电转换效率高，多晶硅薄膜的研究备受关注。目前多晶硅薄膜已广泛地用于各种微电子器件的制造，其用途从栅极材料和互联引线发展到绝缘隔离、钝化、太阳能电池、各种光电器件等。文章介绍了制备多晶硅薄膜的多种工艺方法，结合现有工艺条件制作多晶硅纳米薄膜，根据多晶硅压阻特性理论进行了LPCVD纳米薄膜工艺试验，研究了工艺条件对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响，选取了优化的工艺条件，为多晶硅纳米薄膜在今后压阻式压力传感器中的应用奠定基础。 关键词：多晶硅；压阻特性；纳米薄膜；应变系数 引言 多晶硅薄膜在半导体器件和集成电路中应用广泛，多晶硅材料可制作MOS器件的栅极材料，牺牲层材料，太阳能电池和各种光电子器件。伴随MEMS（微电子机械系统）技术的飞速发展，多晶硅薄膜在压阻式压力传感器中应用广泛，同时多晶硅纳米薄膜的压阻特性比普通多晶硅更加优越。因此受到了广大研究者的关注。多晶硅薄膜与单晶硅薄膜相比更容易与IC工艺兼容，多晶硅薄膜具有良好的高温特性，高温器件中无p-n结隔离问题。多晶硅薄膜也可制作牺牲层材料，易于微机械加工，该材料的应变系数可达单晶硅的三分之二左右，重掺杂时，多晶硅纳米薄膜的应变系数比单晶硅材料的还要高。 多晶硅薄膜工艺的制备主要分高温工艺，工艺温度高于600℃，可在高温石英管中热分解工艺气体制得，制备工艺简单。此外还有低温工艺，加工工艺温度低于600℃，可寻找成本较低的玻璃作为衬底材料，适合批量生产，制备工艺相对复杂。 1 多晶硅薄膜制备 多晶硅薄膜的制备工艺有多种，包括：真空蒸发、磁控溅射，化学气相沉积等，其中化学气相沉积法（CVD）是多晶硅薄膜最常用的制备方法，该方法将工艺需要气体在等离子体（PECVD）增强沉积法、催化作用、HWCVD（热化学气相沉积）等不同工艺条件下分解制作多晶硅薄膜。此外还包括低压化学气相淀积法、固相晶化（SPC）法、准分子激光晶化法、超高真空化学气相淀积（HV/CVD）、快速热退火、电子束蒸发等[2]。 化学气相沉积工艺中一种为PECVD（等离子增强化学气相沉积），该工艺是利用辉光放电的电子或等离子体来激活化学气相沉积反应，经过一系列的迁移、脱氢等过程，在衬底表面沉积成膜的方法。工艺中SiH4气体和H2混合后经辉光分解成等离子体，或者直接通入纯SiH4，纯硅烷气体分解沉积薄膜为非晶硅薄膜。一般多晶硅薄膜工艺中SiH4气体在辉光放电条件下，设备中高能电子与SiH4气体发生撞击，气体分解成离子团，其主要反应式如下所示： SiH4→SiH2+H2 SiH4→SiH3+H2 SiH4→Si+H2 气体分子与离子团的自由行程小于反映腔室内的尺寸，分子向衬底扩散，分子与离子团相互撞击进行反应，主要反应式如下所示： SiH2++SiH4→Si2H6 Si2H6++SiH2→Si3H8 工艺腔室内各种反应离子团扩散、碰撞，不同反应活性和浓度的离子团，沉积到达衬底底部。SiH3基团活性较小不容易达到衬底成膜。 沉积过程为薄膜成膜的第一步，接着就是沉积气体分子或基团在表面的解吸过程，在此过程中表面生产脱H，同时各种基团可反应形成Si-Si键，薄膜进一步生长。 脱H过程是薄膜成膜重要的阶段。H可通过气体分子从表面释放，从真空系统抽走，也可通过与表面基团反应形成气态分子而移除。在等离子体增强化学气相沉积多晶硅薄膜过程中，只有当硅烷浓度达到临界值时，才能产生多种Si颗粒，颗粒附着在衬底表面发生进一步反应，薄膜逐渐生产。 LPCVD（低压化学气相沉积）工艺，主要原理为在低压条件下。一般在1个大气压以下，将反应气体通入密闭的真空卧室或立式可加热石英管中，工艺气体经热分解，分解成各种基团或副产物，基团附着在衬底表面形成硅膜，该工艺需要较低的工艺腔室压力和适宜的工艺温度来控制反应工艺气体及副产物的形成。同时，各种工艺气体的比例不同，工艺成膜的效果和薄膜的应力也不尽相同。通常应用LPCVD沉积多晶硅薄膜的晶粒尺寸小于500nm，应用LPCVD沉积多晶硅时，需要衬底洁净度高，同时改变工艺温度，工艺炉体内压力，均可制作不同薄膜特性的材料。低压化学气相沉积设备与一般的常压热壁式装置的主要区别在于它需要一套真空泵系统维持整个系统的工作气压。下图为典型LPCVD装置示意图： 图1 典型LPCVD装置示意图 综上所述，化学气相沉积多晶硅薄膜是个物理和化学混合的工艺过程，工艺过程中首先反应气体通入沉积腔室经过辉光放电或热分解扩散成离子团或气体分子，接着反应物分子附着在衬底表面，其中有部分反应物可继续进行一