氧化及离子注入工艺模拟实验.doc

实验 一、实验目的1. 熟悉Silvaco TCAD的仿真模拟环境； 掌握掌握二、实验① 仔细阅读，掌握的使用； ②③ 记录Tonyplot的仿真结果，并进行相关分析。 三、实验内容干氧的氧化膜结构致密、均匀性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好、但生长速率慢。湿氧的氧化膜结构疏松，表面有缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差，但生长速率快。一般湿氧很少单独使用，因为它对硅表面影响较大，湿氧和光刻胶的接触也不好 一般稍微对厚度要求的氧化层两个表面采用干氧，也就是干氧－湿氧－干氧(简称干湿干)的过程 2、离子注入工艺模拟 设计离子注入工艺模拟程序，分析说明离子注入的关键工艺影响参数 参考程序，教程P23 硼离子注入及退火模拟程序及p32程序 硼离子注入程序： go athena #TITLE: Simple Boron Anneal #the x dimension definition line x loc = 0.0 spacing=0.1 line x loc = 0.1 spacing=0.1 #the vertical definition line y loc = 0 spacing = 0.02 line y loc = 2.0 spacing = 0.20 #initialize the mesh init silicon c.phos=1.0e14 #perform uniform boron implant implant boron dose=1e13 energy=70 #perform diffusion diffuse time=30 temperature=1000 extract name=“xj” xj silicon mat.occno=1 x.val=0.0 junc.occno=1 #plot the final profile tonyplot #save the structure structure outfile=boron implant.str quit 退火模拟程序： IMPLANT [GAUSS | PEARSON | FULL.LAT | MONTECARLO | BCA] [CRYSTAL | AMORPHOUS] IMPURITY ENERGY=n DOSE=n [FULL.DOSE] [TILT=n] [ROTATION=n] [FULLROTATION] [PLUS.ONE] [DAM.FACTOR=n] [DAM.MOD=c] [PRINT.MOM] [X.DISCR=n] [LAT.RATIO1] [LAT.RATIO2] [S.OXIDE=n][MATCH.DOSE|RP.SCALE|MAX.SCALE][SCALE.MOM][ANY.PEARSON] [N.ION=n] [MCSEED=n] [TEMPERATURE=n] [DIVERGENCE=n] [IONBEAMWIDTH=n] [IMPACT.POINT=n] [SMOOTH=n] [SAMPLING] [DAMAGE] [MISCUT.TH] [MISCUT.PH] [TRAJ.FILE=n] [N.TRAJ=n] [Z1=n] [M1=n] 以下为不同角度下的离子注入程序设计： go athena # Tilt angle dependence using SVDP model line x loc = 0.0 spac=0.1 line x loc = 1.0 spac=0.1 line y loc = 0 spac=0.01 line y loc = 0.7 spac=0.01 init implant boron energy=35 dose=1.e13 tilt=0 rotation=0 print.mom struct outfile=aniiex02_00.str line x loc = 0.0 spac=0.1 line x loc = 1.0 spac=0.1 line y loc = 0 spac=0.01 line y loc = 0.7 spac=0.01 init one.d implant boron energy=35 dose=1.e13 tilt=1 rotation=0 print.mom struct outfile=aniiex02_01.str line x loc = 0.0 spac=0.1 line x loc = 1.0 spac=0.1 line y loc = 0 spac=0.01 line y loc = 0.7 spac=0.01 init implant boron energ