材料化学的理论基础大学课程.ppt

材料化学 材料化学的理论基础 如 Ba0.88Pb0.88Ca0.04TiO3陶瓷广泛用于超声加 工机声纳．水听器等。此外还有压敏电阻、 气体传感器、湿度传感器等。半导体陶瓷， 它们都是由非整比化合物微小粒子烧结而 成的。 材料化学 材料化学的理论基础 非整比化合物的结构与性质的研究是一个 极富有成果的领域，对新材料或有不寻常综合 性质材料的发展提供无限的可能性。因此，人 们可以正视非整比化合物的潜力，从而日益有 可能设计出具有特殊结构和性能的新材料。 材料化学 材料化学的理论基础 4.3位错及其对固体物性的影响 位错：晶体中某处一列或若干列原子有规律的错排。 属于缺陷中的线缺陷，一维缺陷 形成：不是由于热起伏产生的。当实际晶体在生长 时，会受到杂质、温度变化或振动产生的应 力作用，或由于晶体受到打击、切削、研磨 等机械应力作用，使晶体内部质点排列变形。 原子行列间相互滑移，而不再符合理想晶格 的有序排列，从而形成线缺陷（位错）。 作用：它是已滑动区域与未滑动区域之间的分界。 意义：对材料的力学行为如塑性变形、强度、断 裂等起着决定性的作用，对材料的扩散、 相变过程有较大影响。 类型：根据原子的滑移方向和位错线取向的几何 特征不同，位错分为刃位错、螺位错和混 合位错。 材料化学 材料化学的理论基础 1.刃位错 如果晶体内有一个原子面中 断了，其中断处的边沿 E就是一 个刃位错。在三维空间中，这个 刃位错是与纸面垂直的原子线性 排列。在位错附近的区域，原子 排列显著偏离正常的晶格排列。 材料化学 材料化学的理论基础 刃位错的产生 可以想象为将一块晶体沿ABFE切开到 FE处， 然后将切开的上部ABFEGH向右推过一个原子间 距b再粘合起来，经过推压滑移后的上部，成为 A?B?FEGH，其中FE是滑移部 分与未滑移部分的分界线，这 分界线附近的原子并不排列在 正常晶格的位置，故FE就是刃 位错。 材料化学 材料化学的理论基础 材料化学 材料化学的理论基础 材料化学 材料化学的理论基础 2.螺位错 存在螺位错的晶体中，没有中断的原子平面， 原来互相平行的一族晶体却变成单个晶面似的沿 着轴线AB盘旋上升，每 盘旋一周而上升一个晶 面间距，在轴线AD处就 是一个螺位错。 材料化学 材料化学的理论基础 螺位错的产生 可以想象为将一块晶体沿晶面ABCD切开到直 线AD为止，然后将切开部分的外边BC沿AD 方向 滑移一个原子间距b ，并使之粘合 起来，这样就在AD处形成一个螺 位错。这时，原本与AD垂直的平 行晶面，就变成一个螺旋式上升 的晶面。 材料化学 材料化学的理论基础 特点：*位错和滑移方向相互平行 *不使晶体体积发生变化 材料化学 材料化学的理论基础 材料化学 材料化学的理论基础 材料化学 材料化学的理论基础 材料化学 材料化学的理论基础 材料化学 材料化学的理论基础 弗仑克尔缺陷的形成（空位与间隙质点成对出现） 材料化学 材料化学的理论基础 ② 杂质缺陷 杂质缺陷是由于杂质进入晶体后所引起的缺陷。 有两种类型：间隙式和取代式。 ? 间隙式一般发生在外加杂质离子(或原子)半径 较小的情况下。 如C或N原子进入金属晶体的间隙中，形成填充 型合金等杂质缺陷。? ???? 材料化学 材料化学的理论基础 ? 取代式: 杂质离子(或原子),通常其电负性与半径 和组成晶体的离子(或原子)相差不大,可