材料物理课件()材料磁性性质.ppt

Device configurations Polyaniline nanofiber Gold nanoparticles Organic/nanoparticles system Metal complex Donor Acceptor Donor-Acceptor system Performance and Characterization ON/OFF current ratio Write-read-erase cycles Switching time Retention ability Nano-crystal floating-gate memory Oxide gate too thin Leakage path Cause electron stored to leak out How to alleviate the scaling limitation? use thinner tunnel oxides without sacrificing nonvolatility oxide thickness operating voltage operating speeds Dielectric Tunnel oxide Phase change memory Change the phase to crystalline (set or conductive) and amorphous (reset or resistive) by passing a programming current of different magnitudes (higher current, pulse current, lower current) through memory element. Material: Ge2Sb2Te5 (GST) Switching: 10-30 ns Cycling time: 1012 Carbon nanotube memory Thanks for your attention! * 是在金属或塑料表面上涂一层磁性材料作为记录介质，工作时候载磁体高速旋转，用磁头在磁层上进行读写操作。按磁性材料剩磁状态的不同而区分“0”或“1”。 软磁材料的磁滞回线细长，磁导率高，矫顽力低，铁芯损耗低，容易磁化，也容易去磁。 * 一种借助光束作用写入、读出信息的材料 写入时光盘的存储介质与聚焦的激光束相互作用，产生物理或化学作用，形成记录点，当光再次照射时形成反差，产生读出信号。 光盘上有凹凸不平的小坑，光照射到上面有不同的反射，再转化为0、1的数字信号就成了光存储。 * The Peripheral circuitry, including address decoders, drivers and sense amplifiers, play the role of a bridge between the memory cells and the I/O unit. bit 是位，是信息的最基本单位；位是以01的形式进行的. byte 是字节，是信息传递中的最小单位;1 byte = 8 bit 一个汉字2个字节(2 Bytes),即16位(16 bits) * SRAM是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不断电，信息是不会丢失的，所以谓之静态； DRAM利用MOS?（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，电容是会漏电的，所以必须通过不停的给电容充电来维持信息，这个充电的过程叫再生或刷新（REFRESH）。由于电容的充放电是需要相对较长的时间的，DRAM的速度要慢于SRAM。但SRAM免刷新的优点需要较复杂的电路支持，如一个典型的SRAM的存储单元需要六个晶体管（三极管）构成，而DRAM的一个存储单元最初需要三个晶体管和一个电容，后来经过改进，就只需要一个晶体管和一个电容了。由此可见，DRAM的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。 * DRAM利用MOS?（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息. * Mask ROM: 这种ROM在制造时就把需要存储的信息用电路结构固定下来，用户使用不得更改其存储内容，所以又称固定存储器。 可编程PROM在封装出厂前，存储单元中的内容全为“1”（或全为“0”），用户可根据需要进行一次性编程处理，将某些单元的内容改为“0”（或“1”）。图7.10是PROM的一种存储单元,它由三极管和熔丝组成,在存储矩阵的所有存储单元都是这种结构。 若要擦去所写入的内容，可用EPROM擦除器产生的强紫外线，对EPROM照射20分钟左右，使全部存储单元恢复“1”，以便用户重新编写。 * Magnetic P