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9太阳能用晶体硅中铁杂质及其磷吸杂研究-朱笑东
SILAB SILAB 太阳能用晶体硅中 铁杂质及其磷吸杂研究 硅材料国家重点实验室 报告人：朱笑东 内容 引言 铁沾污对太阳电池效率的影响 J. Schmidt , Prog. Photovolt: Res. Appl. 2005; 13:325–331 铁沾污的来源 生长过程中引入 原料 晶体生长过程的沾污 化学引入 工艺过程 切片 硅片夹持 …… 不锈钢设备 ----主要的沾污来源 铁在硅中的性质 E. R. Weber, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 30 (1983) 1. 铁在硅中的固溶度 铁在硅中的扩散系数 铁在硅中的存在形态： 间隙态铁 铁沉淀 铁的复合物 铁在硅中的电学性质 W. Wijaranakula, J. Electrochem, Soc., Vol. 140, 275 (1993) Fei: Ev+0.39eV FeB: Ev+0.1 eV 间隙铁与硼的反应 ? 200oC 热处理 /光照 避光 Fei + Bs FeB [Fei] = 3.4×1013（1/ τbefore? 1/τafter） cm-3 间隙铁的测量 实验与讨论 样品： p型（100）晶向无位错单晶 p型（100）晶向有位错单晶, 位错密度为105cm-2； P型铸造多晶硅 引铁： 浸入Fe(NO3)3溶液 ，700—1000 oC进行热处理 沉淀： 500 oC保温90min。 寿命测试： μ-PCD（semilab，WT-2000） 铁沾污对单晶硅少子寿命的影响1 寿命减少百分比 铁沾污对单晶硅少子寿命的影响 2 铁沉淀对单晶硅少子寿命的影响 1 铁沉淀对单晶硅少子寿命的影响 2 铁沉淀对单晶硅少子寿命的影响 3 吸杂效果 [Fe]~1013cm－3 变温吸杂处理 900℃/0.5h＋700℃/1.5h [Fe]~1013cm－3 总结 随着引入铁浓度的增加， 寿命逐渐下降； 间隙铁倾向于在位错出聚集，降低了硅片复合活性； 磷吸杂能有效消除铁沾污的影响，但是位错阻碍了磷吸杂的效果。 谢谢！ SILAB SILAB
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