250℃外延硅薄膜太阳能电池及其界面的优化研究.pdfVIP

薄膜硅太阳电池及材料．191． 250。C外延硅薄膜太阳能电池及其界面的优化拳 ，。 张群芳．朱美芳刘丰珍 ． 中国科学院研究生院物理科学学院北京市 100049． ● 【摘要】 通过c．V和C．F测试研究了热丝化学气相沉积(HWCVD)过程中不同缓冲层 晶化度条件下太阳能电池的界面特性。缓冲层晶化度的提高可以有效增加太阳 能电池的短路电流，改善太阳能电池性能。通过高分辨透射电镜(HRTEM)观 察了纳米晶硅和晶体硅界面，当缓冲层氢稀释度为0、50％和97％时，分别观 察到晶体硅表面的非晶硅、部分外延和完全外延硅薄膜的生长。通过优化工艺 太阳能电池。 ’ 【关键词】 太阳能电池热丝化学气相沉积外延硅 The SiliconSolarCellsandInterface at Epitaxial Optimization ’ 2500C ·‘ Temperature Zhu Liu QunfangMeifangFengzhen Zhang Sciences，GraduateSchoolofChineseAcademyofSicences，P．O．Box CollegeofPhysics 0引言 非晶硅／晶体硅异质结太阳能电池已经成为最有发展前景的太阳能电池之一，因为它具有 高效率、简单工艺和低温制备等特点【1】。界面质量直接影响异质结太阳能电池的光电特性， 因此在硅异质结太阳能电池制备过程中界面钝化是关键；通常在硅异质结太阳能电池中采用 高质量的非晶硅薄膜作为缓冲层[2】，可以有效地钝化界面，减小载流子的复合，具有较高的 开路电压和转换效率，然而却限制了载流子的收集，为了改善载流子的收集，提出了炉一si： H、nc．Si：H和epitaxy mV[3】，他们进 P．a．Si／i．epi．Si／n—c．Si异质结太阳能电池转换效率为13．5％，开路电压达到605 一步研究发现通常认为的非晶硅缓冲层实际上是外延的。 本论文通过HWCVD技术制备了硅异质结太阳能电池，采用纳米晶硅作为发射层和缓冲 层[4】，通过C．V和C．F测试研究了不同缓冲层晶态比对纳米晶硅，晶体硅异质结太阳能电池 ’ ·192．中国太阳能光伏进展 性能的影响。通过高分辨透射电镜(HRTEM)观察了不同缓冲层氢稀释度条件下界面的结构， 分析了缓冲层氢稀释度对太阳能电池性能的影响。通过优化太阳能电池沉积参数和结构参数， 在无光陷结构CZ晶体硅衬底上制备出高效率的外延硅，晶体硅太阳能电池。 1实验方法 电池制备采用热丝化学气相沉积技术【5】，衬底是无织构P型CZ晶体硅，厚度为330pm， 电阻率为3～5 Qcm，薄膜硅沉积前分别用I％HF溶液和原子氢处理晶体硅表面，衬底温度 nc-Si：H／i T。为2500C。制备出的太阳能电池结构为grid／ITO／nnc-Si：I-l／pc—Si／A1，前电极为