低损耗分布式射频MEMS移相器的设计与ANN分析研究.pdfVIP

第七届全国毫米波亚毫米波学术会议论文集 低损耗分布式射频MEMS移相器的设计与ANN分析 唐恺傅佳辉吴群杨国辉贺训军 (哈尔滨工业大学电子与信息技术研究院哈尔滨150001) 摘要：为满足移相器低损耗的要求，分析了基于RFMEMS开关毫米波段移相器的工作原理， 提出了采用锯齿形结构共面波导以抵消MEMS金属桥引入的反射损耗的方法，并提出一种新 的移相器模型。在此基础上，利用CST软件对所设计的MEMS移相器的网络特性进行了仿 真与分析，结果表明，本文提出的模型具有在2GHz工作带宽内反射损耗小于．10dB，插入损 耗在2GHz内大于．2dB，单桥相移量达到22．5度，与传统MEMS移相器相比，反射损耗减 小8dB。在此基础上，采用ANN方法进行分析，提高了设计的效率。 关键字：分布式MEMS传输线移相器反射损耗锯齿形共面波导 1引言 在现代战争中精确制导武器发挥的作用越来越大，制导系统正向着高精度，高速度，抗 干扰，特别是小型化的方向发展。导弹导引头集成了导弹中许多关键技术，其中导引头上的 相控阵天线在毫米波段小型化的研制已成为一项关键技术。而移相器是相控阵系统中最重要 的部分，一般情况下要占据整个系统一半左右的成本【l捌。 Radio ElectroMechanical MEMS)移相器由于具有体积小、 FrequencyMicro Systems(RF 成本低等优点，被广泛用于Ka波段的相控阵天线、卫星通信与移动通信的设备中，它的工 作频带、插入损耗直接影响着这些设备的抗干扰能力和灵敏度，以及系统的重量、体积和成 本【3，4】。在传统的RFMEMS移相器设计中，多采用在金属桥下的信号线上添加介质层的方法 来实现较大的相移量并增加移相器工作的可靠性。但是这种方法在电路中引入了较大的不连 续性，从而产生的较大的反射损耗。 针对此问题，本文提出了一种采用锯齿形共面波导结构的新型MEMS移相器的设计方 法，实现了移相器的低损耗的要求。首先提出了一种适用于毫米波波段的移相器电路分析方 法，之后采用微波网络理论综合和CST全波分析仿真协同设计，并在此基础上，利用人工神 经网络理论对所设计结构进行了分析与验证，提出了本设计的电路结构和模型，并优化 MEMS移相器的损耗特性与相移特性。 2锯齿形分布式MEMS移相器设计 2．1分布式MEMS移相器工作原理 图1给出了分布式MEMS传输线移相器的俯视图。它采用了分布式传输线结构，通过在 共面波导传输线上周期的加载MEMS金属桥，在金属桥上施加电压来控制MEMS桥的高度 来改变MEMS金属桥和传输线之间的电容从而改变传输线上的传播常数，因而改变了入射波 相移【3】。 由分布式MEMS移相器所产生的相移为： ／，厂—了■一厂—了、 ∞钏厨∽鲁一√1+毒j m 图1分布式MEMS传输线移相器俯视图 图2分布式MEMS传输线移相器单位等效电路模型 183 第口∞分毫米波、Ⅱ毫米被有源镕件与电路 根据传输线理论，任何传输线都可蚪等效成由电感和电容组成的L、C电路r由于加载 了MEMS金属桥之后，相当于在传输线上增加了并联电容，因此可以将分布式MEMS传输 线穆相器的每节传输线等效成如图2所示的等效电路n 这里，ch是MEMS金属桥所引^的等效电容和。而LG，cb可以采用如F的公式计算： 叵％ 这里．而是没有MEMS金属桥时的共面波导的特性阻抗，“为介质层的介电常数。金属 桥与信号线的电容瓯由下式决定，其中，自为真空中的介电常数，h为金属桥未受外力时的 高度，f为桥下介质层厚度，x为桥下落距离，“为金属桥与信号线重叠部分的面积，￡z为桥 F介质层的介电常数。 DJ ’ 20二、 C。=—土￡二一(1、25—0 ”^+三一r h ‘l