广东省LED外延发展主要特点与趋势分析.docVIP

广东省LED发展的主要特点与趋势分析 为准确把握广东LED产业发展情况，探讨广东LED产业今后发展的方向，本文将从广东LED的产业化、企业、产品、技术等方面分析其发展主要特点，从技术发展路径和区域优势探寻其发展趋势。LED原材料包括砷化镓单晶、氮化铝单晶等，它们大部分是III—V族化合物半导体单晶，生产工艺比较成熟，其他材料还有金属高纯镓。衬底材料是LED照明的基础，也是外延生长的基础，不同的衬底材料需要不同的外延生长技术，并影响到芯片加工和器件封装。因此，衬底材料的技术路线会影响整个产业的技术路线，是各个技术环节的关键。目前，能作为衬底材料包括Al2O3、SiC、Si、GaN、GaAs、ZnO等，但目前商用最广泛的是Al2O3、SiC。外延片生长主要依靠生长工艺和设备。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD），但即使是这种“最经济”的方法，其设备制造难度也非常大。国际上只有德国、美国、英国、日本等少数国家中数量非常有限的企业可以进行商业化生产。 图1 LED产业链图 （一）全球LED外延产业概况 MEMC（本部在美国，意大利、日本、韩国、马来西亚、台湾）、Wacker（本部在德国，美国、新加坡）、三菱（本部在日本，美国、印度尼西亚）等公司所控制，这四家公司的市场占有率近70%。这些公司除了本部之外，都在其它国家和地区设厂，是跨国生产与经营的公司。 LED产业的核心技术之一是外延生长技术，其核心是在MOCVD设备（俗称外延炉）中生长出一层厚度仅有几微米的化合物半导体外延层。MOCVD设备是LED产业生产过程中最重要的设备，其价值占整个产业链（外延片—芯片—封装和应用）的70%。目前，作为上、中游外延片和芯片技术，国际上有严格的技术壁垒，只有美、日、德等国的少数企业掌握。目前，世界范围内能够生产MOCVD设备的企业，主要有德国爱思强（Aixtron，70%国际市场占有率）、美国维易科（Veeco，20%国际市场占有率）、日本大阳酸素（Sanso，7%国际市场占有率）等。当前，国际上GaN研究和生产最成功的企业是日本日亚公司（Nichia）和丰田合成（Toyota Gosei），均使用自行研发的MOCVD设备。韩国企业在政府的支持下，已通过引进英国Thomas Swan的技术，仿制出MOCVD设备并开始销售。目前，行业内最领先的日本企业对技术严格封锁，其中对GaN材料研究最成功的日本日亚化学和丰田合成（Toyoda Gosei）的MOCVD设备则根本不对外销售，另一家技术比较成熟的日本酸素（Sanso）公司的设备则只限于日本境内出售。 图2 世界范围内MOCVD设备制造商市场占有率 技术上，日本、美国、德国的公司掌握了目前国际上最先进的高亮度LED照明外延生长技术，并且各有不同的特点，但都利用各自原创性核心专利在世界范围内设立了专利网，仅与GaN相关的专利就有4000多项，美国、日本GaN蓝、绿光LED照明专利有500多项。在外延技术上，目前大量的专利集中在对GaN基LED的讨论，缓冲层的出现使得在衬底材料上的GaN生长质量更加优良。 表1 世界LED外延厂商生产情况 公司名称 生产概况 日本Nichia日亚公司 GaN基高端蓝、绿、紫及紫外LED外延技术，产量大。 日本Toyoda Gosi丰田合成公司 GaN基蓝、绿光LED及白光LED产量很大。 美国Gree公司 以SiC衬底的GaN基外延，蓝、绿LED及白光LED，产量大。 美国Lumileds公司 GaN基蓝、率LED外延及白光LED，AlGalnP功率LED。 德国Osram光电公司 欧洲最大的GaN基蓝、率LED外延及白光LED的厂商。 南韩首尔半导体Seoul Semiconductor GaN基蓝、绿光LED，目前技术指标较高。 中国台湾晶元光电 合并后的新晶电在GaN基蓝、绿光外延和四元素AlGalnP的外延，月产能为世界第一。 资料来源：中国机电数据网整理。 表2 世界各厂商对LED外延关键环节的控制 指标 主要厂商 MOCVD设备 Aixtron\VEECO\日本酸素、日亚公司（Nichia）、 丰田合成（Toyota Gosei） 原材料 基板 GaAS 日立电线、住友电气、三菱化学、同和矿业、信越半导体、美国AXT 等公司 Sapphire Kyocera、BICRON、SHINKOSHA、Honeywell、晶向等公司 有机金属 Shipley、Akzo Nobel、Epichem、Sumitomo 等公司 荧光粉 根本特殊化学(Nenoto)、化成Optonix、南帝化工、飞利浦等公司 Epoxy 宜加、义典、Epifine(Japan)、Hysol (USA)、Nitto(Japan) 等