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均匀设计在MnZn铁氧体配方实验中的应用 邵峰，李晓清，钱琼辉，蔡渊 (浙江天通电子股份有限公司研发中心浙江郭店314412) 1 引言 应用于笔记本电脑、数码相机，LCD背光源等的器件对磁芯要求小型化的同时，又要 求磁芯的工作温度向低温方向移动。传统的材料开发采用对照的实验方法，对实验结果进 行分析后再进行后续实验，因此要用相当长的时间才能完成一个试验周期，且很难得到预 期的结果。采用均匀试验方法有助于在短期内完成试验。 2试验 2．1试验目的 开发一种与工作温度在45。C以下的器件相配套的MnZn铁氧体功率材料TP4C，它的 技术指标如表1。 表1 TP4C材料主要技术指标 参 数 指 标 初始磁导率lli 32c10±25％(25℃、10kHZ、0．25mT) 530mT(25℃、H=1194AJm) 饱和磁通密度Bs 420roT(100℃、H=I 194A／m) 居里温度Tc ≥220℃ 密度d 4．89／cm3 功率损耗Pcv 350Kw／m3(25℃) (100kHz、200】mT) 250Kw／m3(45℃) 660Kw／m3(100℃) 2．2方案选择 均匀设计属于近年发展起来的‘‘伪蒙特卡罗方法”的范筹，将经典的确定的单变量问题的 计算方法推广后用于多变量问题的计算时。其特点是试验点在试验范围内排列规律整齐，散 布均匀。由于均匀试验充分利用了试验点分布的均匀性，所获得的适宜条件虽然不见得是 全面试验中的最优条件，但至少也在某种程度上接近最优条件。均匀试验设计的基本方法与 ·44· 正交设计类似，但在编制实验方案时，不必考虑因素间的交互作用，主要依据因素水平表选 用均匀设计表n】。 众所周知，MnZn铁氧体受主配方影响极大，MnZn铁氧体的主成分可用Fe20，、MnO、 ZnO三种氧化物表示，并且前人总结出了一个三角相图‘21，其中低损耗高饱和磁通密度功 率铁氧体的主配方中Fe203在52．5～54m01％，ZnO在9～12 m01％之间变动。根据实践， 实验因素，采用U5(54)安排实验，选定的因素水平见表1。 ＼平表1因素水平表 因素＼ l 2 3 4 5 A．Fe203 52．7 53 53．3 53．6 53．9 B．ZnO 9．5 10 10．5 1l 11．5 为避免Fe203和ZnO的高水平相遇对试验可能造成的影响，我们将表1中ZnO的水平 次序作适当调整，见表3 表2因素水平表 【＼≮平 1 2 3 4 5 I因素＼ A．Fe203 52．7 53 53．3 53．6 53．9 B．ZnO 10．5 ll 11．5 9．5 10 从表3中我们可以看到，当试验的因素是2个时，这两个因素应安排在表4的第1， 第2列。结合表2和表3，表4，把A，B两个因素放在1，2列，便完成了表头设计，然 后将U5(54)表中1，2列不同数字换上相应因素的具体水平值，即完成均匀设计 的试验