电子学发展的历史.ppt

1-1　電子學發展的歷史 5.積體電路時期（二） 1972：超大型積體電路時期（very large scale integration，簡寫VLSI，指每晶片含10000 ～ 100000 個零件） 1985：極大型積體電路時期（ultra large scale integration，簡寫ULSI，指每晶片含100000個以上零件） 6.積體電路依零件數、邏輯閘數來分類（1個邏輯閘約使用10個零件） 7.電子工業的分類及電子學的發展史 (1)4C 1-2　電子學未來發展的趨勢 1.未來的電子工業將繼續朝著4C發展，彼此相輔相成且密不可分。其發展趨勢如下： 1-3　基本波形認識 3.正弦波 (1)正弦波（sine wave）：若交流電壓或電流之變化波形，其大小恰為時間的正弦函數者稱之。電力公司所供應之交流電即為正弦波。 (2)正弦波之標準式： (3)瞬時值，最大值與峰對峰值 4.脈波 (1)理想脈波：電壓由 0 轉移到 V 瞬時發生，同樣電壓由 V 轉移到 0 亦是瞬時發生。 (2)脈波的第一個邊緣（A→B）稱為前緣，下一個邊緣（C → D）稱為後緣。 (3)脈波在基準線以上稱為正向脈波，基準線以下稱為負向脈波。 (4)脈波的特性 ?脈波寬度（PW）：脈波所出現的時間。 ?空間寬度（SW）：兩個脈波之間的間隔。 ?工作週期（duty cycle）： 5.方波 6.三角波與鋸齒波 (1)正或負的斜波：電壓相對於時間，以一恆定的速率來增加或減少。 (2)三角波：在正斜波之後跟隨著負斜波而產生的波形。 (3)鋸齒波：當一斜波較另一斜波為陡峭時形成的波形。它是示波器產生時基線所需要的波形。 7.直流、正弦波、方波和鋸齒波之比較 * 第1章　概論 1-1　電子學發展的歷史 1-2　電子學未來發展的趨勢 1-3　基本波形認識 總目錄 節目錄 1.不同時期的電子成品 從十九世紀末至今，整個電子學發展的歷史為：真空管時期→電晶體時期→積體電路時期→微電腦時期 節目錄 2.真空管時期（1897～1947年或稱第一代） 主要代表性的發明是三極真空管。 1897：德國科學家布朗製造出第一個二極管，本質上為原始的陰極射線管。 1904：英國電機學家弗萊明發明了二極管，它是由在真空中一根放射的加熱線和接收電子的屏極所構成。當屏極加上正電壓時，就可收集電子。 1906：美國電子學家德弗斯特發明了一個具有柵極的三極管，它具有控制電荷量及放大的能力。 1912：美國電子學家阿姆斯壯發明了再生式放大器，具有正回授與持續振盪的特性。 1917：阿姆斯壯又發明了超外差式接收機，以及防止不必要振盪的中和電路。 1928：美國軍方在三極管的柵極與屏極之間加一簾柵極而完成了四極管，以增加對電子流動的控制。 1929：美國軍方在四極管的屏極與簾柵極之間加上了一個抑制柵極，消除了四極管的負電阻特性。 1946：美國工程師伊葛特及毛奇利合力完成第一座真空管式計算機，可說是當今電腦的基礎。 節目錄 3.電晶體時期（1947年～或稱第二代） 成功地研究出雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor，簡稱BJT）與製造出金屬氧化物半導體場效電晶體（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor，簡稱MOSFET）。MOSFET與BJT相比較，MOSFET體積小，製程簡單，目前大多數的超大型積體電路（VLSI）皆使用MOS技術。 1947：美國物理學家布拉登和巴定發現點觸式電晶體的電流放大作用（鍺質）。 節目錄 1950：貝爾實驗室的狄耳做出了第一個接合式電晶體，其增益頻帶寬與雜音方面均有很大的改善。 1951：電晶體開始商業化生產（諸如西方電氣、RCA、西屋公司及通用電氣等）。 1952：美國軍事基金會撥出經費從事半導體研究，將這些裝置應用到飛彈上，因為電晶體體積小、重量輕、低功率、性能優，並且可靠。固態裝置完全取代了真空管。 1954：德州儀器公司正式發表了矽電晶體。 節目錄 將一個完整電路（包含電阻、電容、電晶體等元件）製造在單晶片上。依據積體電路所含零件數之不同，可以分為下列五個不同時期： 4.積體電路時期（1958年～或稱第三代）（一） 1959：小型積體電路時期（small scale integration，簡寫SSI，指每晶片含100個零件以下） (1)該年3月德州儀器公司的開爾貝在無線電工程協會的展覽會上展示其所設計的單晶片。 (2) 1960年2月飛捷公司製造出RTL積體電路。 (3) 1961年完成了TTL的設計，並正式生產。 節目錄 1965：中型積體電路時期（medium scale integration，簡寫MSI，指每晶片含100 ～ 1000個零件） (1)該年由於蝕