HK1235使用说明书.PDFVIP

HK1235 使用说明书 一．引脚排列 PIN 排列 PIN 描述 A14 1 28 Vcc A0-A14 -Address input A1 2 27 WE CE -Chip Enable （Low Enable） A 3 26 A13 GND -Ground A 4 25 A8 DQ0- -Data In/Out A 5 24 A9 Vcc -Power (+5V) A 6 23 A11 WE -WriteEnable （LowEnable） A 7 22 OE OE -Output Enable（LowEnable） A 8 21 A10 NC -No Connect A 9 20 CE A 10 19 DQ7 DQ 11 18 DQ6 DQ 12 17 DQ5 DQ 13 16 DQ4 GN 14 15 DQ3 二．读取模式 HK1235 在 WE （写使能）被禁止（high ）且 CE （片选）被选中（Low ）并 且 OE （读信号）被使能（Low ）执行一次读循环。15 个地址输入线（A -A ） 0 14 指定的唯一的地址定义将要被访问。最后输入信号稳定后 8 位数据输出驱动 器将在 tACC 时序内得到有效数据。 三、写模式 地址输入稳定后，HK1235 在 WE 和 CE 信号处于激活（低电平）状态为 写 模式。最后出现的 CE 或 WE 下降沿将决定写循环的开始，写循环 终止于 CE 或 WE 前边的上升边沿。在写循环内所有地址输入必须保持 有效。在下 一个循环能被初始化前，WE 写信号必须将高电平保持最少记 录时间（ tWR ）. 写循环期间 OE 控制信号应当保持失效（高电平），避免总线 冲突，如果输 出总线已经有效（CE 和 OE 激活），则写信号可以在 tODW 时序内从下降边 沿开始禁止输出。 四、数据保存模式 HK1235 为 Vcc 提供全部功能，当 VCC 大于 4.5 伏或 4.75 伏,写保护为 4.35 伏或 4.75 伏。当 Vcc 掉电时保存数据,没有任何附加支持电路的 需要。 HK1235 通常监视 Vcc 。如果电源电压降低，RAM 自动写保护 其本身。所 有对 RAM 的输入变为“不接收”，所有输出为高电阻。当 Vcc 降低到大约3.0 伏时，电源转换电路将用锂电源向 RAM 供电保存数据。 电压升高时， 当 Vcc 升高到大约 3.0 伏时，电压转换电路将外部 Vcc 与 RAM 连接。正常 RAM 操作在 Vcc 超过 4.5 伏或 4.75