SiO2薄膜的电导与击穿机制的研讨.pdfVIP

2000年10:月。广西 ·北海 第七届全国固体薄膜学术会议 Si02薄膜的电导与击穿机制的研究 许铭真 谭长华 北京大学橄电子所。100871 I.前育 sio,薄膜是mos超大规模集成电路的重要的姗绝缘材料。随着MOs集成电路的迅速发 展，MOs器件尺寸已进人深亚微米，姗Si02厚度已经减至 10纳米以下。 SiO2薄膜的 失效成为集成电路可靠性的重要限制因素之~。为了应用加速应力实验得到的高场下的击 穿时间与应力电场之间的关系来预侧实际应用电场下的使用寿命，近三十年来，围绕着这 个难月进行了大级的理论与实脸研究.其中以美国U.C.Berkeley的 C.Hu为代表的空穴 击穿模型(或称为阳极空穴注人模型)[1,21和美国德州仪器公司 J.W.Mcpherson 提 出的场极化模型[3,41 (又称为E模型)，是目前可么用于寿命预测计算的两个模型。 但 是.阳极空穴注人模型，不能用于低电场下的寿命预测，因为它过高的估计了其寿命值。而 可以描述较低电场下的击穿时间 (tea) 与电场强度 (F_) 之间的实验关系的E模型 与电谁传抽机制无关，这使得低电场下的众多实验现象难以解释。本文研究了6^-19MV/cm 电场区的多位作者的时间相关介质击穿(TDDB)数据，发现:在6^-14NV/cm电场区，tw 与F二之间有很好的线性关系， 当F_14MV/cm，偏离线性关系。 本文应用应力感应 缺陷导电机制，解释了6^-14Nv/cm电场区的t.与电场几之间的线性关系; 并应用 Fowler-Nordheim隧道电流机制解释了10-19MV/cm电场区的tm与F_之间的非线性关系 II.应力感应映陷导电 在Fowler-Nordheim应力作用下，由阴极注人Si飞的隧道电子， 在到达阳极界面 时，由于电子在电场中获得能量以及在阳极界面存在的能量落差 (3.2ev)，当这些电子与 阳极价带的空穴复合时，发生电致发光效应 ill，可以计算出所发射的光波长为紫外光波 段(大约为288nm).发射光强度与FN电流相关[21。当这些光子反射人Si02时，将打断处 于两个界面和Si0:体内的某些弱键而产生缺陷，这些缺陷包括 “热空穴” [3们， 与氢 相关的缺陷15,61和与氧相关的类施主缺陷。其中，与氧相关的类施主缺陷，可能失去电 子而呈现正电性。而失去的这个电子则成为si0:导带中的自由电子。同时，处于SiO2 导带中的另外一个自由电子将有几率落人该施主中心。所以，由于类施主缺陷的存在，使 得FN电子从一个缺陷态跳到另一个缺陷态，使原有的FN导电机制转变为FN电子的跳跃导 电机制。 根据模特理论和类氢原子模型 !7I，该导电电流可以用下式表述: ，.=2gNDR,vexp(-E,lkT一RSIaN)Sinh(gRsF12kT) (1) 其中，ND为类施主映陷密度 凡为类施主缺陷态势阱的间距 v为跳跃频率 E,为类施主缺陷态的势阱深度 2以扣年01月 ·广西 ·北侮 第七届全国固体薄腆学术会议 a二为氢原子的第一玻尔轨道半径 才为玻尔兹曼常数 T为环境温度 心为氧化层电场强度 在稍高电场下，由于电场效应使之类施主缺陷的势阱高度降低，同时，类施主缺陷势阱 对于NF 电子的传抽机制的影响减弱，此时跳跃导电机制转变为即 电流机制。刚电流由下 式描述8[} J，=A凡，ePx(一/凡) (2) 所以.在NF应力作用下，从低电场到高电场，在501:薄膜中存在两种导电机制，即模 特跳跃导电机制和刚电流机制。在低电场下，以模特电流机制为主， 而在高电场下以NF 电流机制为主。所以，低电场和高电场下的51仇击穿时间可以分别表述为: 低场:灿1刁.川吃